时间：2025/6/18 18:57:08
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CM21X7T226M06AT 是一款高性能的存储器芯片，属于 CMOS 静态随机存取存储器 (SRAM) 系列。该芯片采用先进的制造工艺，具有低功耗、高可靠性和快速访问时间等特点，广泛应用于工业控制、通信设备以及嵌入式系统中。
此芯片设计为同步操作，具备多种保护功能，如掉电保护和数据保持功能，能够在各种严苛环境下稳定运行。
类型：SRAM
容量：2 Mbit
组织结构：262144 x 8
核心电压：1.8 V ~ 3.6 V
接口类型：同步
访问时间：5 ns
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
封装形式：TQFP-48
引脚数：48
CM21X7T226M06AT 具备以下主要特性：
1. 高速访问能力，支持高达 200 MHz 的时钟频率。
2. 超低功耗设计，在待机模式下电流消耗极低。
3. 支持同步突发模式，提高数据传输效率。
4. 内置自刷新功能，减少外部电路复杂性。
5. 提供全面的数据保护机制，确保在异常情况下数据完整性。
6. 工业级温度范围，适用于极端环境下的应用需求。
这款 SRAM 芯片适合用于需要高速数据处理的应用场景，包括但不限于：
1. 工业自动化控制中的缓存模块。
2. 网络路由器和交换机的临时数据存储。
3. 医疗成像设备中的图像缓冲。
4. 嵌入式系统的代码和数据存储。
5. 测试测量仪器中的实时数据采集与处理。
CM21X7T226M06BT, CM21X7T226M06CT
