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CM200DY-12NF 发布时间 时间:2025/5/15 14:11:48 查看 阅读:8

CM200DY-12NF是一种高性能的MOSFET功率晶体管,广泛应用于电力电子领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合于高频开关应用。其主要功能是在电路中提供高效的功率转换和控制。
  该型号属于CoolMOS系列,由Infineon Technologies生产,适用于各种工业、消费类和汽车电子应用。通过优化的结构设计,CM200DY-12NF在提高效率的同时也降低了能量损耗。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  电压等级:650V
  连续漏极电流:200A
  导通电阻(典型值):4.5mΩ
  栅极电荷(Qg):90nC
  输入电容(Ciss):3780pF
  输出电容(Coss):115pF
  反向恢复时间(trr):45ns
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

CM200DY-12NF具有以下显著特性:
  1. 高电压耐受能力,额定电压为650V,能够适应高压环境下的应用需求。
  2. 低导通电阻(Rds(on)),典型值仅为4.5mΩ,在大电流条件下可显著降低功耗。
  3. 快速开关性能,反向恢复时间短至45ns,支持高频工作场景。
  4. 栅极驱动简单,与标准逻辑电平兼容,便于系统集成。
  5. 热稳定性强,能够在极端温度范围内可靠运行。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
  这些特性使其成为高效功率转换的理想选择,尤其是在太阳能逆变器、电机驱动和不间断电源等应用中。

应用

CM200DY-12NF适用于多种高功率应用场景,包括但不限于以下领域:
  1. 太阳能逆变器:用于直流到交流的高效能量转换,提升整体系统效率。
  2. 电机驱动:在工业自动化设备中实现精确的速度和扭矩控制。
  3. 不间断电源(UPS):为关键设备提供稳定可靠的备用电源。
  4. 电动汽车充电站:支持快速充电技术,优化充电效率。
  5. 开关电源(SMPS):在高功率密度设计中发挥重要作用。
  其高电流承载能力和快速开关特性使得它在这些应用中表现出色。

替代型号

CM200DY-27W, CM200DY-12NFD

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CM200DY-12NF参数

  • 标准包装2
  • 类别半导体模块
  • 家庭IGBT
  • 系列IGBTMOD™
  • IGBT 类型-
  • 配置半桥
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.2V @ 15V,200A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)200A
  • 电流 - 集电极截止(最大)1mA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)30nF @ 10V
  • 功率 - 最大650W
  • 输入标准型
  • NTC 热敏电阻
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳模块
  • 供应商设备封装模块
  • 配用BG2B-5015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 5A FOR IGBTBG2B-3015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 3A FOR IGBTBG2B-1515-ND - KIT DEV BOARD 1.5A FOR IGBTBG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT
  • 其它名称835-1011