CM15MDL-12H是一款由Central Semiconductor Corp生产的表面贴装肖特基势垒二极管阵列,采用SMA封装。该器件内部集成了两个独立的肖特基二极管,配置为共阴极结构(Common Cathode),适用于需要高效能、低正向压降和快速开关响应的应用场景。由于其采用肖特基技术,该二极管在导通时表现出较低的正向电压降(通常在0.3V至0.45V之间,取决于工作电流),从而显著降低功耗并提高系统效率。CM15MDL-12H的额定最大重复反向电压(VRRM)为12V,平均整流电流为1.5A,适用于低压直流电路中的整流、反向极性保护、箝位和续流等应用。该器件符合RoHS环保标准,并具备无卤素(Halogen-Free)特性,适合现代绿色电子产品制造需求。其SMA封装形式具有较小的占板面积,便于在高密度PCB布局中使用,并支持自动化贴片工艺,提升生产效率。
型号:CM15MDL-12H
类型:肖特基势垒二极管阵列(共阴极)
封装:SMA(DO-214AC)
最大重复反向电压(VRRM):12V
最大直流阻断电压(VR):12V
最大正向整流电流(IF(AV)):1.5A
峰值浪涌电流(IFSM):30A
最大正向电压(VF):450mV(在1A条件下)
最大反向漏电流(IR):1mA(在12V、25°C条件下)
工作结温范围(TJ):-65°C 至 +125°C
存储温度范围(TSTG):-65°C 至 +150°C
热阻结到环境(RθJA):约83.3°C/W
安装方式:表面贴装(SMT)
CM15MDL-12H的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术,这种结构通过金属-半导体结代替传统的PN结,从而实现更低的正向导通压降和几乎无反向恢复时间的快速开关特性。这使得该器件在高频开关电源、DC-DC转换器和电池供电设备中表现出色,能够有效减少能量损耗,提高整体电源转换效率。其1.5A的平均整流电流能力使其适用于中等功率级别的应用,而12V的反向电压等级则特别适合3.3V、5V或12V系统中的保护与整流任务。
该器件的共阴极双二极管配置非常适合用于双路同步整流、输入电源极性反接保护或作为两个独立的续流二极管应用于电感负载驱动电路中。例如,在H桥电机驱动或继电器控制电路中,CM15MDL-12H可用于抑制反电动势,防止高压击穿控制芯片。此外,由于其低VF特性,在轻载或待机模式下仍能保持较高的能效表现,有助于延长便携式设备的电池寿命。
SMA封装不仅提供了良好的热传导性能,还具备较强的机械稳定性,能够在振动或冲击环境下保持可靠的电气连接。器件经过优化设计,具备优异的热循环耐久性和焊接可靠性,适用于回流焊工艺。同时,其符合JEDEC标准的封装尺寸确保了与其他厂商同类产品的兼容性和可替换性。CM15MDL-12H还具备较低的寄生电容和电感,有利于在高频工作条件下减少噪声干扰和电磁辐射,提升系统的EMI性能。
CM15MDL-12H广泛应用于各类消费类电子、工业控制和通信设备中。典型应用场景包括开关模式电源(SMPS)中的次级侧整流,尤其是在低电压大电流输出的DC-DC转换器中,利用其低正向压降优势减少发热,提升效率。该器件也常用于USB电源接口、充电器电路中的反向电流阻断和过压箝位保护。在电池管理系统(BMS)或多电源选择电路中,可用作理想二极管实现自动电源切换功能。
此外,CM15MDL-12H适用于LED驱动电路中的防倒灌二极管,防止关闭主电源后LED因残余电压发光。在嵌入式系统和微控制器供电路径中,它可作为防止外部电源与USB电源相互干扰的隔离元件。工业领域中,该器件可用于PLC模块、传感器接口和电机驱动板上的瞬态电压抑制与续流路径构建。由于其小型化封装和高可靠性,也适合用于空间受限的便携式医疗设备、物联网终端和无线传感器节点等产品中。
MBR15120FCT
SMS15D120T
SB15120
SS12A-TPS