时间：2025/6/13 8:41:09
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SUB85N03-04P-GE3是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-263-4封装形式。该器件适用于多种开关应用，具有低导通电阻、高效率和出色的开关性能等特点。其典型应用包括DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电源管理等场景。该系列器件由 Vishay 提供，以可靠性和稳定性著称。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：19A
导通电阻：2.8mΩ
栅极电荷：7.7nC
开关时间：典型值ton=10ns, toff=18ns
工作温度范围：-55℃至+175℃
SUB85N03-04P-GE3 具有非常低的导通电阻 (Rds(on))，从而能够减少传导损耗并提高系统效率。此外，其快速开关时间和较低的栅极电荷使得它在高频开关应用中表现出色。
该器件采用了先进的制造工艺，在高温环境下依然可以保持稳定的性能，非常适合工业级和汽车级应用。同时，其封装设计具备良好的散热性能，有助于延长使用寿命并确保系统的可靠性。
这款MOSFET广泛应用于各种电力电子设备中，例如：
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流器
2. 降压或升压型DC-DC转换器
3. 电池管理系统(BMS)
4. 电机驱动电路
5. 工业自动化控制设备
6. 通信基础设施中的负载开关
由于其卓越的电气特性和热性能，SUB85N03-04P-GE3 成为许多高功率密度设计的理想选择。
IRFZ44N
STP19NF06L
FDP16N10
AO3400
