最大重复峰值反向电压（VRRM）：1200V
　　最大平均整流电流（IF(AV)）：12A
　　峰值浪涌电流（IFSM）：200A
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　热阻（Rth(j-c)）：2.5°C/W
　　封装类型：TO-247-3L（Dual Common Cathode）
　　绝缘等级：Class I（基本绝缘）

CM15KD1-12H采用了先进的碳化硅（SiC）半导体技术，具备优异的开关性能和热稳定性。
　　与传统的硅基肖特基二极管相比，CM15KD1-12H在高频应用中具有更低的开关损耗和更高的效率。
　　其双共阴极结构允许用户在拓扑结构上灵活配置，适用于交错式PFC、LLC谐振转换器和图腾柱PFC等拓扑。
　　该模块具有极低的正向压降（VF），在额定电流下典型值仅为1.8V，从而降低了导通损耗并提高了整体系统效率。
　　此外，CM15KD1-12H具备出色的抗浪涌电流能力，可承受高达200A的峰值电流，适用于复杂工况下的高可靠性设计。
　　该模块的封装设计优化了热管理性能，确保在高温环境下仍能稳定运行。
　　由于SiC材料的特性，CM15KD1-12H在高温下仍能保持良好的性能，适用于严苛的工作环境。
　　CM15KD1-12H还具备良好的电磁兼容性（EMC）性能，有助于降低系统EMI设计难度。
　　综合来看，CM15KD1-12H是一款适用于高功率密度、高频率和高可靠性要求的碳化硅肖特基二极管模块。

CM15KD1-12H广泛应用于需要高效率、高功率密度和高频操作的电力电子系统中。
　　常见应用包括工业电源、不间断电源（UPS）、光伏逆变器、电动汽车车载充电器（OBC）、直流快充系统、储能变流器（PCS）以及电机驱动系统。
　　其优异的开关性能使其成为图腾柱PFC、交错式PFC和LLC谐振转换器等拓扑结构的理想选择。
　　在电动汽车充电设备中，CM15KD1-12H可用于提升充电效率和功率密度，满足高效节能的需求。
　　在工业自动化和新能源领域，该模块可显著提升系统的整体效率和可靠性。
　　由于其出色的热管理和抗浪涌能力，CM15KD1-12H也适用于高温和高湿度等恶劣工作环境。
　　该模块还可用于数据中心服务器电源、5G基站电源等高密度电源系统中，以提高能效和系统稳定性。

SKM15GB12T4VHCDTA1, FFSH15120ADN, CREE的C2D15120A