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CM150RL-12NF 发布时间 时间:2025/9/29 14:10:27 查看 阅读:13

CM150RL-12NF是一款由Powerex(现属于Mitsubishi Electric)生产的IGBT模块,广泛应用于工业电力电子设备中。该模块集成了IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和反并联二极管,采用先进的平面栅场截止技术,具有低导通压降和低开关损耗的特点,适用于高效率、高功率密度的变频器、逆变器和电机驱动系统。CM150RL-12NF属于1200V电压等级、150A电流容量的单管IGBT模块,采用紧凑的2代CIB封装结构,具备良好的热稳定性和电气绝缘性能。模块内部设计优化了寄生电感,提高了开关过程中的电压尖峰抑制能力,增强了系统的可靠性。该器件通常用于三相逆变桥的上桥臂或下桥臂,也可用于斩波电路和UPS电源系统中。其陶瓷基板结构和压接式端子设计确保了长期运行的机械和电气稳定性,适合在恶劣工业环境下使用。

参数

型号:CM150RL-12NF
  制造商:Powerex (Mitsubishi Electric)
  器件类型:IGBT模块
  集电极-发射极额定电压(Vces):1200V
  集电极额定电流(Ic)@TC=80°C:150A
  最大结温(Tj):150°C
  栅极-发射极电压(Vge):±20V
  饱和压降(Vce(sat))@Ic=150A, Vge=15V:约1.75V
  开关频率:典型应用可达20kHz以上
  热阻(Rth(j-c)):约0.15°C/W
  封装类型:2代CIB模块
  安装方式:螺栓安装
  隔离电压:2500Vrms/min

特性

CM150RL-12NF的IGBT芯片采用了先进的场截止(Field Stop)结构和平面栅工艺,这种设计显著降低了导通压降和开关损耗之间的权衡关系,从而提升了整体能效。在导通状态下,其饱和压降Vce(sat)在额定电流150A时仅为1.75V左右,这有助于减少功率损耗并降低散热需求。同时,该模块的开关速度较快,关断时间(toff)通常在几百纳秒量级,配合优化的门极驱动电路可实现高频PWM控制,适用于20kHz以上的高频逆变应用。模块内部集成的快速恢复二极管具有软恢复特性,能够有效抑制换流过程中产生的电压振荡和电磁干扰,提高系统EMI性能。
  该模块采用陶瓷绝缘基板(通常是氧化铝Al2O3),具有优异的耐热冲击性和长期可靠性。其2代CIB(Compact Intelligent Bridge)封装结构不仅提高了功率密度,还通过内部布局优化减少了杂散电感,从而在高速开关过程中抑制了电压过冲和振铃现象。此外,模块的输出端子采用压接式设计,避免了焊接连接可能带来的热疲劳问题,增强了机械强度和长期运行的稳定性。CM150RL-12NF支持直接水冷或风冷散热方式,其较低的热阻(Rth(j-c) ≈ 0.15°C/W)使得热量能够高效传导至散热器,适合在高环境温度下连续工作。
  该器件具备良好的短路耐受能力,典型短路承受时间可达10μs以上,结合外部保护电路可实现可靠的过流保护。其栅极阈值电压(Vge(th))适中,通常在6~7V之间,兼容标准+15V驱动信号,并建议使用-5V至-10V负压关断以提高抗干扰能力和防止误导通。模块符合RoHS环保要求,适用于对环保和可靠性要求较高的工业设备。由于其成熟的制造工艺和广泛的应用验证,CM150RL-12NF在变频器市场中拥有较高的用户信任度和长期供货保障。

应用

CM150RL-12NF广泛应用于各类中等功率工业电力电子系统中,尤其是在需要高可靠性和高效率的电机驱动领域。它常见于通用交流变频器中,作为主逆变桥的核心开关器件,用于控制三相异步电机或永磁同步电机的转速和转矩。在伺服驱动器中,该模块凭借其良好的动态响应特性和低损耗表现,支持高精度位置和速度控制。此外,它也适用于不间断电源(UPS)系统中的DC/AC逆变环节,能够在市电中断时快速切换并提供稳定的正弦波输出。
  在新能源领域,CM150RL-12NF可用于小型光伏逆变器或储能变流器(PCS)中,实现直流电能到交流电网的高效转换。其1200V电压等级适合用于400VAC或690VAC线电压系统,满足大多数工业电网标准。在感应加热设备中,该模块可作为谐振逆变器的开关元件,驱动LC谐振回路产生高频交变磁场,用于金属熔炼、热处理或焊接。
  其他应用场景还包括电焊机电源、电动车辆充电机、风力发电变流器以及各种工业电源装置。由于其坚固的模块封装和优良的热管理性能,CM150RL-12NF特别适合在高温、高湿或振动较强的工业现场环境中长期运行。其标准化封装也便于系统设计和维护,有利于缩短产品开发周期和降低生产成本。

替代型号

CM150DY-12NF
  CM150DX-12NF
  F4-150R12KS4

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CM150RL-12NF参数

  • 标准包装1
  • 类别半导体模块
  • 家庭IGBT
  • 系列IGBTMOD™
  • IGBT 类型-
  • 配置三相反相器,带制动器
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.2V @ 15V,150A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)150A
  • 电流 - 集电极截止(最大)1mA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)23nF @ 10V
  • 功率 - 最大730W
  • 输入标准型
  • NTC 热敏电阻
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳模块
  • 供应商设备封装模块
  • 配用BG2B-5015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 5A FOR IGBTBG2B-3015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 3A FOR IGBTBG2B-1515-ND - KIT DEV BOARD 1.5A FOR IGBTBG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT