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CM150E3Y-12E 发布时间 时间:2025/9/29 17:38:52 查看 阅读:7

CM150E3Y-12E是一款由Consonance(长电科技)推出的高性能碳化硅肖特基二极管(SiC Schottky Diode),专为高效率、高频和高温工作环境设计。该器件采用先进的碳化硅材料技术,具备优异的开关特性和热稳定性,适用于各种要求严苛的电力电子系统。CM150E3Y-12E的额定电压为1200V,最大平均正向电流可达150A,广泛用于工业电机驱动、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、电动汽车充电系统以及高压直流输电等应用领域。该器件无反向恢复电荷,显著降低了开关损耗,提升了系统整体效率,并可有效减少电磁干扰(EMI)。其紧凑的封装形式有助于节省PCB空间,同时支持模块化设计,便于系统集成与散热管理。CM150E3Y-12E符合RoHS环保标准,具有高可靠性,能够在恶劣环境下长期稳定运行。

参数

型号:CM150E3Y-12E
  类型:碳化硅肖特基二极管
  最大重复峰值反向电压(VRRM):1200V
  最大平均正向电流(IF(AV)):150A
  最大瞬时正向压降(VF):1.75V @ 150A, Tj=25°C
  最大反向漏电流(IR):1.0mA @ 1200V, Tj=25°C
  结温范围(Tj):-55°C 至 +175°C
  热阻(RθJC):0.25°C/W
  封装形式:E3Y
  安装方式:螺栓型或平面安装
  极性:单管
  工作频率:适用于高频应用
  反向恢复时间(trr):典型值为0 ns(无反向恢复)
  正向浪涌电流(IFSM):2000A @ 8.3ms sine wave

特性

CM150E3Y-12E的核心优势在于其基于6英寸4H-SiC晶圆制造的碳化硅肖特基势垒技术,实现了零反向恢复电荷(Qrr = 0)和极低的开关损耗,从而大幅提升了系统能效。在高频开关应用中,传统硅基PIN二极管存在显著的反向恢复问题,导致额外功耗和EMI干扰,而CM150E3Y-12E由于没有少子存储效应,完全避免了这一现象,使电源拓扑如图腾柱PFC、LLC谐振转换器等能够以更高频率运行而不牺牲效率。此外,其正向导通压降较低且温度系数呈正向趋势,有利于多管并联使用时的电流均衡。
  该器件可在高达+175°C的结温下持续工作,展现出卓越的热稳定性,减少了对复杂冷却系统的需求,特别适合密闭或高温工业环境。其热阻参数仅为0.25°C/W(结到壳),配合高效散热器可实现良好的热管理。机械结构上采用E3Y封装,具备优良的电气绝缘性能和机械强度,支持大电流传输,同时兼容主流功率模块的安装方式,便于替换同类产品。器件通过了严格的可靠性测试,包括高温反偏(HTRB)、高温栅极偏置(HTGB)以及温度循环试验,确保在长期运行中的稳定性和寿命。此外,CM150E3Y-12E对dv/dt噪声具有较强的耐受能力,不会因快速电压变化引发误导通,提高了系统安全性。

应用

CM150E3Y-12E广泛应用于各类高功率密度和高效率需求的电力转换系统中。在新能源领域,它被大量用于光伏逆变器中的升压级和输出整流级,利用其零反向恢复特性提升MPPT效率并降低滤波器体积;在电动汽车充电基础设施中,无论是车载充电机(OBC)还是直流快充桩,该器件都能有效支持高效AC-DC和DC-DC转换,缩短充电时间并提高能量利用率。在工业电源方面,诸如不间断电源(UPS)、伺服驱动器和变频器等设备也普遍采用CM150E3Y-12E作为续流二极管或整流元件,以实现更高的功率因数和更低的热损耗。此外,在电信电源、数据中心服务器电源以及铁路牵引系统中,该器件凭借其高可靠性和宽温域适应能力,成为关键的功率组件。由于其支持高频工作,还能显著减小磁性元件和电容的尺寸,推动系统小型化和轻量化发展。

替代型号

CM150D3Y-12E
  CMF150120D
  SKY150AB120V1
  CREE C4D150120D

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