型号：CM1500HC-66R
　　制造商：Wolfspeed
　　器件类型：SiC MOSFET模块
　　最大集射极电压（Vces）：6600 V
　　最大栅源电压（Vgs max）：+25 V / -15 V
　　最大连续漏极电流（Id cont）：1500 A
　　最大脉冲漏极电流（Id pulse）：6000 A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值 1.7 mΩ @ Vgs = 20 V
　　阈值电压（Vth）：典型值 4.5 V
　　输入电容（Ciss）：约 18000 pF
　　输出电容（Coss）：约 3500 pF
　　反向恢复电荷（Qrr）：极低，接近零（体二极管为JBS结构）
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +175 °C
　　存储温度范围（Tstg）：-55 °C 至 +185 °C
　　封装类型：HP2 模块封装
　　热阻（Rth(j-c)）：约 0.025 K/W（单模块）

CM1500HC-66R的核心优势在于其基于碳化硅材料的半导体特性，使其在高压大电流工况下仍能保持极低的导通损耗和开关损耗。
　　首先，该器件采用了Wolfspeed自主研发的第4代或更高版本的SiC MOSFET芯片技术，具备更高的载流子迁移率和更低的界面态密度，从而显著降低Rds(on)，提高器件效率。其导通电阻仅为1.7mΩ，在6600V耐压等级下实现了前所未有的低损耗水平，远优于传统硅基IGBT模块。这意味着在相同功率输出条件下，CM1500HC-66R可以减少发热，提升系统整体能效，尤其适用于追求高效率的风电变流器、HVDC换流阀和大型UPS系统。
　　其次，该器件具备优异的高频开关能力，由于SiC材料的宽带隙特性，CM1500HC-66R可以在数十kHz甚至上百kHz频率下工作而不会出现明显的损耗上升。这使得系统可以采用更小体积的滤波电感和电容，实现更高的功率密度设计。同时，其近乎理想的开关波形（快速上升/下降时间、低拖尾电流）有助于降低EMI噪声，并简化门极驱动电路设计。
　　再次，CM1500HC-66R内置的碳化硅肖特基体二极管（Junction Barrier Schottky, JBS）具有极低的反向恢复电荷（Qrr），几乎不存在反向恢复电流尖峰，避免了传统硅器件在硬开关应用中常见的损耗和电压振荡问题。这一特性对于多电平变换器、有源前端（AFE）电路尤为重要。
　　最后，该模块采用优化的内部布局和低寄生电感设计（<50nH），确保在极高di/dt条件下仍能稳定运行。配合坚固的陶瓷基板和直接键合铜（DBC）工艺，CM1500HC-66R具备出色的热循环可靠性和长期服役稳定性，适合严苛工业环境下的持续运行。

CM1500HC-66R主要面向超大功率电力电子系统，广泛应用于需要高电压、大电流和高可靠性的工业与能源领域。
　　在可再生能源方面，该器件被用于大型风力发电机组的全功率变流器中，作为主逆变桥臂开关元件，支持690V或更高电网接入，实现高效AC-DC-AC能量转换。其高耐压能力允许系统采用更少的串联器件数量，简化拓扑结构并提升系统可用性。
　　在柔性直流输电（HVDC Light、MMC拓扑）系统中，CM1500HC-66R可用于构建模块化多电平换流器（MMC）子模块，承担数千安培级别的电流切换任务，凭借其低损耗和高频率响应能力，显著提升输电效率和动态响应速度。
　　在工业传动领域，该模块适用于兆瓦级中压电机驱动器（如轧钢机、矿山设备、船舶推进系统），替代传统IGBT方案，实现更紧凑的设计和更高的系统效率。
　　此外，在高功率不间断电源（UPS）、固态变压器（SST）以及未来超充充电站的DC-DC升压环节中，CM1500HC-66R也展现出巨大潜力。其高达175°C的工作结温允许系统在有限冷却条件下运行，提升了部署灵活性。得益于其标准化HP2封装，用户可利用现有冷却结构进行升级替换，降低开发成本和周期。

CM1400HC-66A
　　CM1600HC-66B