时间：2025/5/16 11:24:58
阅读：7
MDD5N50RH是一种高压功率场效应晶体管（MOSFET），属于N沟道增强型器件。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等需要高效能开关的场景中。其高击穿电压和低导通电阻特性使其非常适合于高电压和高效率的应用环境。
该器件采用了先进的制造工艺，能够提供出色的电气性能和可靠性。同时，它具有快速开关速度和较低的栅极电荷，有助于减少开关损耗并提高系统效率。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：5A
栅源开启电压：2.5V~4.5V
导通电阻：1.4Ω（典型值，在Vgs=10V时）
总栅极电荷：36nC
输入电容：790pF
反向传输电容：180pF
工作温度范围：-55℃~+150℃
MDD5N50RH具有以下主要特性：
1. 高耐压能力，最高可达500V，适用于高压应用场合。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），在额定条件下仅为1.4Ω，从而减少了导通损耗。
3. 快速开关性能，得益于低栅极电荷和优化的内部结构设计。
4. 宽广的工作温度范围，确保了在极端环境下的稳定运行。
5. 小封装尺寸，便于PCB布局与散热设计，通常采用TO-220或DPAK封装形式。
6. 符合RoHS标准，环保且无铅。
MDD5N50RH因其出色的电气特性和可靠性，广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. 各类DC-DC转换器，例如降压或升压电路中的功率开关。
3. 电机驱动控制电路，包括步进电机、直流无刷电机等。
4. 太阳能逆变器及其他可再生能源发电系统的功率调节模块。
5. 负载切换及保护电路，如电池管理系统中的电子保险丝功能实现。
6. 其他需要高压、大电流开关操作的工业自动化设备中。
IRF540N, STP5NK50Z, FQP50N06L
