型号：CM100MXUBP-13T1
　　类型：双N沟道MOSFET阵列
　　封装：PowerDI 5060-3
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　最大漏源电压（Vds）：20V
　　最大连续漏极电流（Id）：8A
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：32A
　　最大栅源电压（Vgs）：±12V
　　导通电阻Rds(on)（典型值）：8.5mΩ @ Vgs=4.5V；7.5mΩ @ Vgs=10V
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：1.0V ~ 2.3V
　　输入电容（Ciss）：典型值1300pF
　　输出电容（Coss）：典型值480pF
　　反向恢复时间（trr）：无体二极管或极短
　　最大功耗（Pd）：4W（TC=25°C）
　　极性：N-Channel
　　配置：单体双独立N-MOSFET

CM100MXUBP-13T1的两个N沟道MOSFET具有低导通电阻特性，在4.5V至10V的栅极驱动电压下表现出优异的Rds(on)性能，确保在大电流条件下仍能保持较低的传导损耗。该器件采用先进的沟槽式工艺技术制造，提升了载流子迁移率，同时减小了芯片尺寸，有助于提高单位面积内的电流密度。每个MOSFET的额定连续漏极电流可达8A，脉冲电流能力高达32A，使其适用于瞬态负载较高的应用场景。器件的栅极阈值电压范围适中，兼容常见的逻辑电平驱动信号（如3.3V或5V），避免因驱动不足导致的非饱和导通问题。
　　该MOSFET阵列采用PowerDI 5060-3封装，具有出色的散热性能，底部带有裸露焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量有效传导至内层或底层，显著提升热循环稳定性与长期可靠性。封装尺寸紧凑，仅为5.0mm x 6.0mm x 1.0mm，适合空间受限的便携式电子产品设计。此外，该封装支持回流焊工艺，满足现代SMT生产线的要求。
　　CM100MXUBP-13T1具备良好的抗雪崩能力和静电放电（ESD）保护特性，增强了在恶劣电气环境下的鲁棒性。其输入与输出电容较低，有利于减少开关过程中的能量损耗，提升转换效率。器件无显著体二极管反向恢复电荷，降低了在桥式电路中可能出现的反向恢复损耗与噪声问题。所有参数均在高温环境下经过严格测试，确保在极端工况下仍能稳定运行。

CM100MXUBP-13T1常用于需要高效能、小体积功率开关的电子系统中。典型应用包括同步整流型DC-DC降压变换器，其中两个N-MOSFET可分别作为上管与下管，利用其低Rds(on)特性减少导通损耗，提高电源效率。在便携式设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，该器件可用于电池供电路径的负载开关控制，实现快速启停与低静态功耗管理。
　　在电机驱动电路中，CM100MXUBP-13T1可用于驱动小型直流电机或步进电机的H桥拓扑结构，提供双向电流控制能力。其快速开关响应特性有助于实现精确的速度与位置调节。此外，该器件也适用于LED背光驱动电路，作为恒流源的开关元件，配合PWM调光实现亮度调节功能。
　　工业控制模块、传感器电源管理单元以及热插拔电路中也可采用该MOSFET阵列，以实现安全的电源接通与断开操作。由于其具备良好的热性能和可靠性，CM100MXUBP-13T1还适用于车载电子设备中的低压电源管理系统，如车载信息娱乐系统或ADAS辅助模块的供电控制。

DMG1014UFG-7
　　SI2302DDS-T1-E3
　　AOZ5311NQI-01
　　FDMC86281
　　IPD910N04LG3