电容：6.8 nF
　　公差：±30%
　　额定电压：4 V
　　温度系数：NP0（COG）
　　封装尺寸：1206（3216 公制）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　绝缘电阻：10000 MΩ 最小
　　损耗角正切（DF）：≤ 0.0015
　　温度特性：Class 1，适用于高稳定性应用

CLS4D28NP-6R8NC具有优异的电气性能和高可靠性，适用于对电容稳定性要求极高的电路。该器件采用NP0（COG）介质材料，具有极低的温度系数，确保在宽温度范围内电容值的变化极小。
　　此外，该电容器具有低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL），使其在高频应用中表现出色，适合用于滤波、去耦和信号处理等场合。
　　由于其SMD封装形式，CLS4D28NP-6R8NC可轻松集成到高密度PCB布局中，适用于自动化贴片工艺，提高了生产效率和产品的一致性。
　　该电容器符合RoHS标准，无铅环保，适用于现代电子制造中的绿色要求。

CLS4D28NP-6R8NC广泛应用于射频（RF）电路、模拟滤波器、振荡器、去耦电路以及精密测量设备中。由于其出色的温度稳定性和高频特性，该电容器特别适合用于无线通信设备、移动电话、GPS模块、蓝牙模块和工业控制设备。
　　在射频前端模块中，该电容器可用于天线匹配网络和滤波器设计，以确保信号的稳定传输和接收。
　　在电源管理电路中，它可用于去耦和旁路，有效减少高频噪声和电压波动，提高系统的稳定性和抗干扰能力。
　　此外，CLS4D28NP-6R8NC还可用于精密放大器电路中的耦合和滤波，确保信号的高保真度和低失真。

CL21B682KOQNNXC, GRM21BR60J682KE-T, C2220C682KZRACTU