电容值：2.2 nF (2R2)
　　容差：±30%
　　额定电压：4V
　　温度系数：NP0 (C0G)
　　封装类型：0402 (1005 公制)
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　介质材料：陶瓷
　　电极材料：镍/银 (Ni/Sn)
　　绝缘电阻：10,000 MΩ Min
　　损耗角正切（Tanδ）：最大1.5%

CLS4D28NP-2R2NC 是一款专为高稳定性和低损耗应用设计的陶瓷电容器。该电容器的NP0（C0G）介质材料确保了在宽温度范围内的稳定电气性能，其电容值不会随温度发生显著变化。此外，该器件具有极低的损耗角正切，使其适用于高频电路和需要最小信号损耗的场合。由于其小型化设计（0402 封装），CLS4D28NP-2R2NC 非常适合用于高密度PCB布局。
　　这款电容器还具有良好的机械强度和耐热性，可在恶劣的环境条件下稳定工作。其镍/银电极材料提供了良好的焊接性能和长期可靠性，适用于自动贴片和回流焊工艺。另外，该电容器的高绝缘电阻和低漏电流特性使其适用于高精度模拟电路和低功耗数字电路。
　　CLS4D28NP-2R2NC 的设计还考虑了电磁干扰（EMI）和射频干扰（RFI）的抑制能力，适用于射频前端模块、无线通信设备、传感器、电源管理电路等多种应用场景。

CLS4D28NP-2R2NC 主要用于以下类型的电子设备和系统：
　　1. 无线通信模块：如Wi-Fi、蓝牙、ZigBee等高频信号滤波和耦合电路；
　　2. 射频识别（RFID）设备：作为稳定电容用于高频信号处理；
　　3. 高精度传感器：如温度、压力、加速度传感器中的滤波和耦合电容；
　　4. 便携式电子产品：如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源去耦和信号调理电路；
　　5. 汽车电子系统：包括车载信息娱乐系统、传感器模块和车载通信模块；
　　6. 工业控制系统：用于自动化设备中的信号处理和电源管理。

GRM155R71E2R2NC01D, C0603C2R2C5GACTU, VJ0402Y2R2NXGT