SKN40018 时间：2025/8/23 12:05:23 阅读：18

SKN40018 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），设计用于高电流、高效率的功率开关应用。该器件采用 TO-220 封装，具备良好的热性能和高电流承载能力，适合用于各种电源管理与功率控制场景。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500 V
　　连续漏极电流（Id）：20 A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.23 Ω @ Vgs = 10 V
　　栅极电压（Vgs）：±30 V
　　功耗（Ptot）：125 W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-220

特性

SKN40018 以其低导通电阻和高电流能力著称，能够在高电压条件下提供高效的功率转换。其 Rds(on) 仅为 0.23 Ω，这使得在高电流工作状态下，器件的导通损耗显著降低，提高了整体系统效率。此外，该器件具有较强的热稳定性，TO-220 封装提供了良好的散热性能，适用于长时间高负载工作环境。SKN40018 还具备较高的栅极电压耐受能力（±30V），增强了其在复杂电磁环境下的可靠性和抗干扰能力。由于其出色的性能指标，该 MOSFET 常被用于电源开关、DC-DC 转换器、马达控制以及工业自动化系统中的高功率负载控制。
　　该器件的制造工艺采用先进的平面技术，确保了良好的电气特性和稳定的开关性能。其漏源电压为 500V，适用于多种中高压应用，如电源适配器、照明驱动、工业电源等。此外，该 MOSFET 的封装设计便于安装在散热片上，有助于进一步提高散热效率，延长器件使用寿命。

应用

SKN40018 广泛应用于多种功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、逆变器、马达驱动电路、工业控制设备、LED 照明驱动器以及家用电器中的功率管理模块。其高耐压和大电流能力使其成为中高功率变换器中的理想选择。此外，该器件也常用于电池管理系统、不间断电源（UPS）以及新能源系统中的功率开关控制。