产品系列：CLF7045NIT
　　电感值：4.7 μH
　　额定电流（Isat）：19.5 A（通常指电感下降30%时的电流）
　　额定电流（Irms）：21 A（温升40°C时的电流）
　　直流电阻（DCR）：典型值14.5 mΩ，最大值16.5 mΩ
　　自谐振频率（SRF）：≥15 MHz（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +155°C（含自身温升）
　　存储温度范围：-55°C 至 +155°C
　　封装尺寸：7.0 mm × 6.8 mm × 4.5 mm
　　安装方式：表面贴装（SMD/SMT）
　　磁屏蔽类型：全屏蔽一体成型结构
　　RoHS合规性：符合RoHS指令要求
　　环保等级：无铅、无卤素
　　电感公差：±20%
　　热阻（Rth）：约15 K/W（取决于PCB布局）

CLF7045NIT-4R7N-CA 采用先进的金属复合粉末一体成型工艺，使其在高频开关电源环境下仍能保持优异的磁导率稳定性和极低的磁芯损耗。这种结构不仅提升了电感器的饱和电流能力，还显著降低了因交变磁场引起的涡流损耗和磁滞损耗，从而提高了整个电源系统的转换效率。其超低直流电阻（DCR）设计有效减少了铜损，尤其在大电流输出场景下，有助于降低温升，延长元器件寿命。
　　该电感器具备出色的抗饱和特性，在接近满载甚至过流条件下仍能维持较高的电感值，避免因电感骤降导致的电流失控或开关管损坏。同时，其全屏蔽封装结构极大地抑制了外部电磁辐射，减少了对周边敏感信号线路的干扰，特别适用于高密度PCB布局环境。此外，该器件在宽温度范围内保持稳定的电气性能，即使在极端高温或低温环境中也能可靠运行，满足严苛工业与汽车应用的需求。
　　机械方面，CLF7045NIT-4R7N-CA 具有高强度的环氧树脂包覆层，具备优良的防潮、防震和抗冲击能力，能够在恶劣物理环境中长期稳定工作。其端子采用多层镀锡铜电极，确保良好的焊接可靠性和导电性，支持回流焊和波峰焊等多种SMT工艺。整体设计兼顾了高性能、小型化与高可靠性，是现代高效能电源模块中的理想选择。

该电感器广泛应用于各类需要高电流、低损耗储能元件的电源拓扑中，如降压型（Buck）、升压型（Boost）以及反激式（Flyback）DC-DC转换器。在服务器主板、图形处理器（GPU）供电单元、FPGA和ASIC核心电压调节模块（VRM）中，CLF7045NIT-4R7N-CA 可作为关键的能量存储元件，提供快速动态响应和稳定的电压输出。
　　在新能源汽车领域，它被用于车载充电机（OBC）、DC-DC变换器、电池管理系统（BMS）以及ADAS系统供电模块中，凭借其符合AEC-Q200标准的可靠性，能在剧烈温度变化和持续振动环境下保持性能稳定。此外，在工业自动化设备、PLC控制器、UPS不间断电源和电信基站电源模块中也有广泛应用。
　　由于其高功率密度和紧凑尺寸，该器件也适用于空间受限但功率需求高的便携式医疗设备、高端消费类电子产品以及5G通信基础设施中的电源管理单元。无论是追求极致效率还是强调长期运行稳定性，CLF7045NIT-4R7N-CA 都是一个值得信赖的关键被动元件。

CLF7045NIT-4R7MC-CA
　　SLF7045T-4R7N
　　VLS7045HBX-4R7N