CLC410AJE 时间：2025/4/30 16:22:54 阅读：3

CLC410AJE 是一款由 ROHM 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等场景。该芯片采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，具备低导通电阻和高开关速度的特性，适合需要高效能和高可靠性的电路设计。
　　CLC410AJE 在小型化封装 SO-8 中实现了卓越的性能表现，同时在静态和动态参数上都经过优化，适用于工业控制、汽车电子及消费类电子产品。

参数

型号：CLC410AJE
　　类型：N 沟道 MOSFET
　　VDS（漏源电压）：60V
　　RDS(on)（导通电阻，典型值）：2.9mΩ
　　ID（持续漏极电流）：117A
　　Qg（栅极电荷）：39nC
　　EAS（雪崩能量）：35mJ
　　fsw（开关频率）：支持高达 1MHz 的应用
　　封装形式：SO-8
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

特性

CLC410AJE 具备以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻 (RDS(on)) 确保了更少的传导损耗，从而提高系统效率。
　　2. 快速开关能力使其非常适合高频应用场景，如 DC-DC 转换器和同步整流电路。
　　3. 高雪崩能量耐受能力增强了器件的鲁棒性，特别是在瞬态条件下。
　　4. 工作温度范围广，能够在极端环境下保持稳定运行。
　　5. 小型封装 SO-8 提供了良好的散热性能，同时也节省了 PCB 布局空间。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保且安全。

应用

CLC410AJE 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源 (SMPS)，转换器。
　　2. 同步整流电路中的高效开关元件。
　　3. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
　　4. 汽车电子系统，例如车载充电器和逆变器。
　　5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
　　6. 太阳能逆变器及其他可再生能源相关产品。