时间：2025/8/6 7:39:08
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CLA60MT1200NHB是一款高性能的碳化硅（SiC）功率模块，广泛应用于高效率、高频率的电力电子系统中。该器件由ROHM Semiconductor制造，采用了先进的SiC MOSFET技术，具有优异的导通和开关性能，适用于电动汽车（EV）、可再生能源系统和工业电源等领域。该模块的额定电压为1200V，最大连续漏极电流为60A，适合在高温和高负载环境下运行。
型号: CLA60MT1200NHB
类型: SiC MOSFET模块
额定电压(V): 1200V
最大连续漏极电流(A): 60A
导通电阻(Rds(on)): 典型值25mΩ
封装类型: CLA（双列直插式封装）
工作温度范围: -55°C至+175°C
短路耐受能力: 典型值10μs
绝缘耐压: 3kV（1分钟）
栅极驱动电压: 18V（推荐）
热阻(Rth): 结至外壳典型值0.25°C/W
CLA60MT1200NHB采用了先进的碳化硅（SiC）材料，使其在高电压和高频率应用中表现出色。与传统的硅基MOSFET和IGBT相比，SiC MOSFET在导通损耗和开关损耗方面具有显著优势，能够有效提高系统效率并减少散热需求。该模块的Rds(on)非常低，通常在25mΩ左右，使得在高电流条件下也能保持较低的导通损耗。此外，该模块具备出色的短路耐受能力，能够在极端条件下提供更高的可靠性和稳定性。
该器件的封装设计采用了高绝缘性能的材料，确保在高电压应用中的安全运行。模块的热阻较低，有助于快速散热，从而提高整体系统的热管理能力。此外，CLA60MT1200NHB支持高达18V的栅极驱动电压，这有助于进一步降低Rds(on)，提高导通性能。在工作温度方面，该模块可以在-55°C至+175°C的宽温度范围内稳定运行，适用于各种严苛环境。
为了提高系统的可靠性和耐用性，该模块还具备出色的抗振和抗冲击能力，适用于电动汽车和工业设备等对可靠性要求较高的应用场景。同时，其封装设计符合RoHS环保标准，确保产品在环保方面也达到行业领先水平。
CLA60MT1200NHB广泛应用于需要高效、高可靠性和高功率密度的电力电子系统中。其主要应用领域包括电动汽车（EV）充电系统、车载逆变器、可再生能源系统（如太阳能逆变器）、储能系统、工业电源以及高频率DC-DC转换器等。在电动汽车领域，该模块可用于车载充电器（OBC）和主驱动逆变器，以提高能效并减少系统体积和重量。在可再生能源系统中，该器件能够有效提升太阳能逆变器的转换效率，降低系统损耗。此外，在工业电源和UPS（不间断电源）系统中，CLA60MT1200NHB也能够提供稳定的高性能表现。
SKM60GB12T4AgBL, FF600R12ME7_B11, CAS100H120D2
