时间：2025/8/6 0:08:08
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CLA16E1200PN 是一款由 STMicroelectronics 生产的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效率、高功率密度的电源系统中。该器件属于超级结（Super Junction）MOSFET 技术，具有较低的导通电阻和开关损耗，适用于服务器电源、电信电源、工业电源以及DC-DC转换器等应用。该MOSFET采用TO-247封装，具备良好的散热性能。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：1200V
连续漏极电流（Id）：16A
导通电阻（Rds(on)）：0.38Ω（最大值）
栅极电荷（Qg）：58nC
输入电容（Ciss）：1300pF
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-247
CLA16E1200PN 采用先进的超级结技术，显著降低了导通电阻和开关损耗，从而提高了电源系统的整体效率。该器件在高电压下仍能保持优异的导通性能，有助于减少系统发热并提高可靠性。此外，其低栅极电荷特性使其适用于高频开关应用，减少了开关过程中的能量损耗。TO-247封装提供了良好的散热能力，确保在高功率工作条件下仍能保持稳定性能。
该MOSFET还具备出色的抗雪崩能力和短路耐受性，增强了其在严苛工作环境中的稳定性。其低Rds(on)特性使其在大电流应用中表现出色，适用于需要高功率密度的设计。同时，该器件符合RoHS环保标准，适合绿色电子产品设计。
CLA16E1200PN 主要应用于高效能电源系统，如服务器电源、通信电源、工业电源、太阳能逆变器、DC-DC转换器以及高功率适配器等。由于其高耐压、低导通电阻和优良的高频特性，该MOSFET也适用于功率因数校正（PFC）电路和LLC谐振转换器等拓扑结构。
STF16N120HD、STW16NK120Z、STF16NM60ND、STW20NM60ND
