时间：2025/11/12 20:39:11
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CL32B475KCVZNWE是一款由三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于Ceramic Chip Capacitor系列，采用标准的EIA 1210封装尺寸（即3.2mm x 2.5mm），适用于需要高电容值和稳定性能的工业与消费类电子应用。该型号中的‘475’表示其标称电容值为4.7μF（微法），‘K’代表电容公差为±10%，而电压等级‘C’对应的是16V额定电压。该产品采用环保无铅结构设计，并符合RoHS指令要求，适合现代绿色电子产品制造需求。CL32B475KCVZNWE使用X5R陶瓷介质材料，具有良好的温度稳定性，在-55°C至+85°C的工作温度范围内，电容值变化不超过±15%。由于其高电容密度、低等效串联电阻（ESR）以及优异的高频响应特性，这款电容器广泛应用于电源去耦、滤波电路、DC-DC转换器输入输出端稳定化等场景中。此外，该器件具备较强的抗机械应力能力，能够有效应对PCB板弯曲或热胀冷缩带来的物理影响，从而提升系统长期运行的可靠性。
产品类型：陶瓷电容器（MLCC）
电容值：4.7μF
电容公差：±10%
额定电压：16V DC
介质材料：X5R
工作温度范围：-55°C 至 +85°C
温度特性：ΔC/C ≤ ±15%
封装尺寸：EIA 1210（3.2mm x 2.5mm）
安装方式：表面贴装（SMD）
端接类型：Ni/Sn（镍/锡）镀层
RoHS合规性：是
无卤素：是
最小包装数量：1000只/卷
CL32B475KCVZNWE所采用的X5R陶瓷介质赋予了其出色的温度稳定性与电容保持能力，使其在宽温环境下仍能维持可靠的电气性能。X5R材料的介电常数较高，能够在较小的物理尺寸下实现较大的电容量，这对于空间受限的高密度PCB布局至关重要。该电容器在-55°C到+85°C之间，电容值的变化控制在±15%以内，远优于Z5U或Y5V类介质，因此更适合用于对稳定性有要求的应用场合。同时，该器件具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），使其在高频开关电源环境中表现出色，可高效滤除噪声并提供稳定的电源供给。在实际应用中，尤其是在DC-DC转换器的输入和输出滤波环节，CL32B475KCVZNWE能有效抑制电压波动，防止瞬态电流引起的系统不稳定。
该型号采用了先进的叠层工艺制造，内部由数百层陶瓷与金属电极交替堆叠而成，显著提升了单位体积内的电容密度。每一层电极均经过精密印刷与共烧处理，确保电气连接的可靠性及耐久性。其外部端子采用镍/锡（Ni/Sn）双层电镀结构，不仅增强了焊接性能，还提高了抗腐蚀能力，有助于延长器件在恶劣环境下的使用寿命。此外，该电容器具备良好的机械强度，能够承受回流焊过程中的高温冲击，并且对PCB弯曲和热应力具有较强抵抗力，降低了因机械形变导致开裂的风险。
作为一款符合RoHS和无卤素标准的产品，CL32B475KCVZNWE适用于各类绿色环保电子产品，包括通信设备、工业控制系统、汽车电子模块以及高端消费类电子产品。其批量卷带包装形式便于自动化贴片生产线使用，提高生产效率并降低人工成本。总体而言，该器件结合了高性能、高可靠性和环保特性，是现代电子设计中理想的去耦与储能元件选择。
CL32B475KCVZNWE广泛应用于多种电子系统中，尤其适合作为电源管理电路中的关键去耦和滤波组件。在DC-DC转换器设计中，它常被用作输入和输出端的旁路电容，用于平滑输入电压波动并减少输出纹波，从而保证后级电路的稳定供电。由于其具备较高的电容值和良好的频率响应特性，该器件在高频开关电源环境下表现优异，能有效吸收瞬态电流尖峰，防止电压跌落对敏感逻辑电路造成干扰。
在数字系统中，如微处理器、FPGA和ASIC等高速逻辑芯片的电源引脚附近，CL32B475KCVZNWE可用于局部储能和动态负载响应，快速补充电流需求，避免因电源阻抗过高而导致的电压塌陷问题。这种应用场景常见于服务器主板、网络交换机、嵌入式控制器等高性能计算平台。
此外，该电容器也适用于工业自动化设备、医疗电子仪器以及汽车电子模块（非引擎舱内）中，承担电源滤波、噪声抑制和信号耦合等功能。在通信基础设施领域，例如基站电源模块和光模块供电电路中，其稳定的电气性能和高可靠性保障了系统的持续运行。得益于其小型化设计和SMD封装，该器件还能集成于空间紧凑的便携式设备中，如工业手持终端、智能仪表和物联网网关等。总之，凡是需要在有限空间内实现大容量、高稳定性电容功能的场合，CL32B475KCVZNWE都是一种理想的选择。
CL32B475KOAVNNNE
CL32B475KPACNNNE
C3216X5R1C475K
