CL32B473KHINNWE 是一款由知名半导体制造商生产的高速 CMOS 工业级存储器芯片,属于静态随机存取存储器(SRAM)系列。该芯片以其高可靠性、低功耗和快速访问时间而闻名,广泛应用于工业控制、通信设备、医疗仪器等领域。
CL32B473KHINNWE 的设计注重稳定性,能够在较宽的工作温度范围内正常运行,适用于对环境适应性要求较高的场景。
组织形式:512K x 16
存储容量:8Mb
内核电压:3.3V
输入/输出电压:3.3V
数据访问时间:10ns
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:TQFP
引脚数:100
CL32B473KHINNWE 具有以下显著特性:
1. 高速性能:具备极短的数据访问时间,确保系统响应迅速。
2. 稳定性:采用先进的制造工艺,能够在极端温度条件下保持稳定工作。
3. 低功耗设计:在保证高性能的同时,降低能耗,适合对能效要求较高的应用。
4. 工业级品质:通过严格的测试与验证流程,具有较长的使用寿命和高可靠性。
5. 易用性:支持标准接口协议,便于集成到现有系统中。
CL32B473KHINNWE 广泛应用于需要高性能存储解决方案的领域,包括但不限于:
1. 工业自动化设备中的数据缓冲和临时存储。
2. 通信基础设施中的高速缓存,如路由器、交换机等。
3. 医疗成像设备中的图像处理和存储。
4. 测试测量仪器中的实时数据采集与分析。
5. 嵌入式系统中的代码和数据存储。
CY62147EV30, IS61WV51216BLL-10TI