时间：2025/7/9 14:41:57
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CL32B473KHINNWE 是一款由知名半导体制造商生产的高速 CMOS 工业级存储器芯片，属于静态随机存取存储器（SRAM）系列。该芯片以其高可靠性、低功耗和快速访问时间而闻名，广泛应用于工业控制、通信设备、医疗仪器等领域。
CL32B473KHINNWE 的设计注重稳定性，能够在较宽的工作温度范围内正常运行，适用于对环境适应性要求较高的场景。
组织形式：512K x 16
存储容量：8Mb
内核电压：3.3V
输入/输出电压：3.3V
数据访问时间：10ns
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：TQFP
引脚数：100
CL32B473KHINNWE 具有以下显著特性：
1. 高速性能：具备极短的数据访问时间，确保系统响应迅速。
2. 稳定性：采用先进的制造工艺，能够在极端温度条件下保持稳定工作。
3. 低功耗设计：在保证高性能的同时，降低能耗，适合对能效要求较高的应用。
4. 工业级品质：通过严格的测试与验证流程，具有较长的使用寿命和高可靠性。
5. 易用性：支持标准接口协议，便于集成到现有系统中。
CL32B473KHINNWE 广泛应用于需要高性能存储解决方案的领域，包括但不限于：
1. 工业自动化设备中的数据缓冲和临时存储。
2. 通信基础设施中的高速缓存，如路由器、交换机等。
3. 医疗成像设备中的图像处理和存储。
4. 测试测量仪器中的实时数据采集与分析。
5. 嵌入式系统中的代码和数据存储。
CY62147EV30, IS61WV51216BLL-10TI
