时间：2025/7/5 4:35:27
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CL32B334MBHNNNE 是一款由三星（Samsung）生产的 NAND 闪存芯片，属于 3D TLC 类型的存储器件。该芯片采用先进的 V-NAND 技术，具备高密度、高性能和低功耗的特点，广泛应用于消费电子、嵌入式系统以及工业领域。
这款芯片具有多层单元（TLC）架构，能够在每个存储单元中保存 3 位数据，从而实现更高的存储密度。同时，其设计优化了读写速度和耐久性，适合需要大容量存储的应用场景。
容量：334GB
接口：Toggle DDR 2.0
工作电压：1.8V
封装类型：BGA
I/O 引脚数：78
最大顺序读取速度：550 MB/s
最大顺序写入速度：480 MB/s
擦写周期：1000 次 (典型值)
工作温度范围：-25°C 至 +85°C
数据保留时间：1年（在高温环境下可能会缩短）
CL32B334MBHNNNE 使用了三星第三代 V-NAND 技术，通过堆叠多层存储单元来提升存储密度。相比传统平面 NAND，该芯片显著降低了每 GB 的制造成本，同时提高了性能和可靠性。
它支持 Toggle DDR 2.0 接口协议，能够以更高的带宽传输数据。此外，芯片内置 ECC（错误校正码）引擎，可有效减少数据传输中的错误率。
该芯片还具有低功耗特点，非常适合对能效要求较高的便携式设备，例如智能手机、平板电脑和固态硬盘（SSD）。
另外，CL32B334MBHNNNE 提供了强大的数据保护机制，确保用户数据的安全性和完整性。其宽泛的工作温度范围也使其适用于多种环境条件下的应用。
CL32B334MBHNNNE 主要用于以下领域：
1. 固态硬盘（SSD）：作为主要存储介质，提供高速的数据读写能力。
2. 智能手机和平板电脑：为移动设备提供大容量存储空间。
3. 工业计算机：在嵌入式系统中用作数据记录和存储。
4. 网络存储设备：如 NAS（网络附加存储），满足高密度存储需求。
5. 车载信息系统：为汽车多媒体和导航系统提供可靠的存储解决方案。
6. 物联网（IoT）设备：支持边缘计算设备的大容量数据存储需求。
KLUDG8R1BM-B031, H27U8G84MTR-RB, S37A2G84CNTS-GN-EH
