型号：HMC221ETR
　　类型：射频放大器
　　工艺技术：GaAs pHEMT
　　工作频率范围：2 GHz 至 8 GHz
　　小信号增益：22 dB（典型值）
　　噪声系数：1.6 dB（典型值）
　　输出P1dB：+17 dBm（典型值）
　　OIP3（三阶交调点）：+30 dBm（典型值）
　　工作电压：5 V（典型值）
　　静态电流：可调（通过外部偏置电阻）
　　输入/输出阻抗：50 Ω
　　封装类型：SOT-267-6（六引脚陶瓷表贴封装）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　湿度敏感等级（MSL）：1级（260°C回流焊）

HMC221ETR具备卓越的射频性能，特别针对2至8 GHz宽频带操作进行了优化。其典型小信号增益为22 dB，并在整个频率范围内保持高度平坦的响应，确保信号在不同频段下的一致放大效果。这种增益稳定性对于多载波系统和宽带接收机至关重要，有助于避免因增益波动引起的信号失真或误码率上升。该器件的噪声系数仅为1.6 dB，使其非常适合用于前端低噪声放大环节，能够有效提升整个系统的信噪比（SNR），尤其是在弱信号接收环境中表现突出。
　　该放大器的线性性能同样出色，输出P1dB压缩点达到+17 dBm，三阶交调截点（OIP3）高达+30 dBm，表明其在处理高功率或多音信号时仍能维持较低的非线性失真。这一特性使其适用于高动态范围的应用场景，如雷达系统、数字通信链路和精密仪器仪表，能够在存在强干扰信号的情况下准确还原有用信号。HMC221ETR采用内部输入和输出匹配设计，支持50欧姆系统直接连接，无需额外的匹配元件，不仅节省PCB空间，还减少了设计复杂性和调试时间。
　　其基于GaAs pHEMT工艺的设计赋予了器件优良的高频响应和热稳定性，即使在高温或长时间连续工作条件下也能保持性能一致性。此外，该器件可通过外部偏置电阻灵活调整偏置电流，允许用户根据具体应用需求在功耗与性能之间进行权衡，例如在电池供电系统中降低电流以延长续航时间，或在固定基站中提高电流以获得更高的线性度。封装方面，HMC221ETR采用坚固的SOT-267-6陶瓷表贴封装，具有优异的散热能力和机械可靠性，适合在振动、湿热等严苛环境中使用。整体而言，HMC221ETR是一款集高性能、高集成度与设计便利性于一体的射频放大器解决方案。

HMC221ETR广泛应用于各类高性能射频和微波系统中，尤其适合作为接收通道中的低噪声放大器（LNA）或中频/射频驱动放大器使用。在军用雷达和电子战系统中，它能够增强微弱回波信号的检测能力，同时抵抗强邻道干扰，保障系统的探测精度和抗干扰性能。在卫星通信地面站和VSAT终端中，HMC221ETR可用于上变频或下变频链路中的信号放大，提供足够的增益裕量以补偿长距离传输带来的损耗，并维持良好的信号完整性。
　　在点对点和点对多点无线回传系统中，该器件可用于中频放大模块，支持QPSK、16-QAM甚至更高阶调制格式的信号传输，满足高速数据链路对线性度和低噪声的要求。测试与测量设备如频谱分析仪、信号发生器和网络分析仪也常采用HMC221ETR作为内部信号调理单元，因其宽频带特性和稳定的增益响应可覆盖多个测试频段，减少校准次数并提升测量准确性。
　　此外，HMC221ETR还可用于航空航天通信系统、远程传感设备以及宽带认知无线电平台等前沿领域。其宽频率适应能力使其能够兼容多种通信标准和频段配置，提升了系统设计的灵活性。由于其具备良好的电磁屏蔽性能和抗辐射潜力，经过筛选后也可用于部分空间级应用。总之，HMC221ETR凭借其优异的技术指标和可靠的物理封装，已成为现代高性能射频系统中不可或缺的关键元器件之一。

HMC320LC4TR
　　HMC487MS8GE
　　ADL5521ARKZ