时间：2025/11/13 10:10:23
阅读：9
CL321611T-R22K-N是一款由华新科技（Walsin Technology Corp.）生产的多层陶瓷贴片电感（MLCI），广泛应用于高频及射频电路中，作为信号滤波、噪声抑制和阻抗匹配的关键元件。该电感属于铁氧体磁珠类器件，专为在电源线路或信号路径中抑制电磁干扰（EMI）和射频干扰（RFI）而设计。其型号命名遵循业界通用规则：CL代表片式电感，3216表示封装尺寸为3.2mm x 1.6mm（即EIA 1206），11代表高度为1.1mm，T表示编带包装，R22K表示标称阻抗值为220Ω（在100MHz测试条件下），N通常表示无铅环保规格。该器件采用先进的陶瓷基板与内部绕线结构，结合高温共烧工艺制造，确保了良好的热稳定性和长期可靠性。CL321611T-R22K-N主要用于便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑、无线模块以及各类通信设备中的电源去耦和信号完整性优化。由于其具备较高的阻抗特性且在高频下表现优异，特别适合用于隔离数字电路与模拟电路之间的噪声传导，提升系统整体的抗干扰能力。此外，该电感具有较低的直流电阻（DCR），有助于减少功率损耗并提高能效，适用于对功耗敏感的应用场景。
产品类型：铁氧体磁珠
封装尺寸：3216（3.2×1.6mm）
高度：1.1mm
阻抗值（100MHz）：220Ω
额定电流：500mA
直流电阻（DCR）：≤0.38Ω
工作温度范围：-55℃ ~ +125℃
存储温度范围：-55℃ ~ +155℃
耐压：50V
CL321611T-R22K-N的核心特性之一是其在高频环境下表现出的高阻抗性能，这使其成为有效抑制高频噪声的理想选择。在100MHz测试频率下，该磁珠可提供高达220Ω的标称阻抗，能够显著衰减高频干扰信号，从而保护后续电路免受EMI/RFI的影响。这种高阻抗特性主要来源于其内部铁氧体材料的磁导率随频率上升而增加的物理机制，在数百MHz范围内形成有效的“电阻性”阻抗，将噪声能量转化为热能消耗掉，而非像普通电感那样储存能量。
另一个关键优势是其低直流电阻（DCR ≤ 0.38Ω），这意味着在通过正常工作电流时产生的电压降和功率损耗极小，非常适合用于电源线路的滤波应用，尤其是在电池供电设备中，有助于延长续航时间。同时，500mA的额定电流能力足以满足大多数低功耗IC的供电需求，包括微控制器、传感器、射频收发器等。
该器件采用3216小型化封装，符合现代电子设备向轻薄化发展的趋势，便于在高密度PCB布局中使用。其结构基于多层陶瓷共烧技术，具有优异的机械强度和热稳定性，能够在-55℃至+125℃的宽温范围内稳定工作，适应严苛的环境条件。此外，产品符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，适用于无铅回流焊工艺，兼容自动化SMT生产线。
CL321611T-R22K-N还具备良好的频率选择性，其阻抗曲线在特定频段迅速上升，可在目标干扰频段实现精准滤波，而对低频信号或直流分量影响极小。这一特性使其广泛应用于高速数字电路的电源去耦、ADC/DAC前端滤波、USB/HDMI接口的EMI抑制以及Wi-Fi/BT/GPS射频模块的隔离设计中。
CL321611T-R22K-N主要用于各类需要电磁兼容性（EMC）优化的电子设备中。典型应用场景包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电源管理单元（PMU）滤波，用于抑制开关电源产生的高频噪声向敏感电路传播。在无线通信模块中，该磁珠常被放置于射频前端与基带电路之间，起到隔离数字噪声、提升接收灵敏度的作用。此外，它也广泛应用于LCD/OLED显示屏的供电路径中，防止画面出现闪烁或条纹干扰。在工业控制、汽车电子（非引擎舱）和物联网终端设备中，该器件用于增强系统的抗干扰能力和信号完整性，满足相关EMC认证要求如FCC、CE等。其高阻抗低损耗特性也使其适用于高速数据接口如USB、SDIO、I2S等线路的噪声抑制设计。
BLM18AG221SN1D
DE221611T-R221-D
DLW21SN221XK2L
