CL31F226ZPNE 时间：2025/6/22 2:00:43 阅读：4

CL31F226ZPNE 是一款基于硅基技术的高效能功率MOSFET器件，采用TO-252封装形式。该器件主要用于需要高效率和低损耗的应用场景中，如开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等。它具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够有效减少功率损耗并提升整体系统性能。
　　此MOSFET属于N沟道增强型，通过栅极电压控制漏极和源极之间的电流流动。其设计特别注重在高频工作条件下的表现，同时具备良好的热稳定性和可靠性。

参数

最大漏源电压：40V
　　最大栅源电压：±20V
　　持续漏极电流：17A
　　导通电阻：8mΩ
　　栅极电荷：11nC
　　总电容：480pF
　　工作温度范围：-55℃ to +175℃

特性

CL31F226ZPNE具备卓越的电气特性和机械稳定性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在大电流应用中显著降低功耗。
　　2. 快速开关能力，有助于提高开关频率并优化系统效率。
　　3. 高雪崩能量承受能力，增强了器件在异常工作条件下的鲁棒性。
　　4. 小型化的TO-252封装形式，适合紧凑型设计需求。
　　5. 宽泛的工作温度范围，适应各种严苛环境下的使用要求。
　　6. 符合RoHS标准，绿色环保。

应用

该功率MOSFET适用于广泛的工业和消费类电子产品领域：
　　1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
　　2. DC-DC转换器的核心开关元件。
　　3. 电机驱动电路中的功率级控制。
　　4.。
　　5. LED照明系统的驱动电路。
　　6. 电池管理系统中的充放电控制部分。
　　由于其高性能特点，CL31F226ZPNE非常适合用于追求高效节能的设计方案中。