时间：2025/6/21 14:36:17
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CL31F225ZANE 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高压 MOSFET 芯片，属于 STripFET F系列。该器件采用 N 沟道增强型技术，基于先进的沟槽工艺制造，具备出色的开关性能和低导通电阻特性，适用于多种高效率功率转换应用。
这款 MOSFET 的主要特点是其高电压耐受能力以及较低的导通电阻，能够有效降低功率损耗并提升系统效率。
最大漏源极电压：650V
连续漏极电流：22.5A
导通电阻（典型值）：85mΩ
栅极电荷：47nC
输入电容：1190pF
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
封装形式：TO-247
CL31F225ZANE 具备以下关键特性：
1. 高击穿电压：该芯片支持高达 650V 的漏源极电压，非常适合用于高电压环境下的功率控制。
2. 极低的导通电阻：在典型条件下，其导通电阻仅为 85mΩ，这有助于减少传导损耗，提高整体效率。
3. 快速开关能力：由于采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，该芯片具有较低的栅极电荷和输出电荷，从而实现更快的开关速度。
4. 高温适应性：其工作温度范围从 -55℃ 到 175℃，能够承受极端温度条件，适合工业及汽车级应用。
5. 强大的电流承载能力：可支持高达 22.5A 的连续漏极电流，确保在高负载情况下依然稳定运行。
CL31F225ZANE 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)：包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器，尤其是在需要高电压输入的应用中。
2. 电机驱动：用于各种电机控制电路，提供高效的功率传输。
3. 太阳能逆变器：作为功率转换的核心元件，用于将直流电转化为交流电。
4. 电动车和混合动力汽车：适用于车载充电器、DC-DC 转换器等关键部件。
5. 工业设备：如焊接机、不间断电源（UPS）等需要高效率功率管理的场合。
IRFP260N
FDP150N65S3
IXFN200N65T2
