时间：2025/11/13 9:00:01
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CL31F104MBCNNNC是三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的一款多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于C系列，采用标准的0805封装尺寸（公制2012），具备较高的体积效率和良好的电气性能。CL31F104MBCNNNC的标称电容值为100nF（即0.1μF），额定电压为50V DC，电容容差为±20%（M级），介质材料为X7R特性陶瓷，适用于广泛的工业、消费类及通信类电子设备中的去耦、滤波、旁路和信号耦合等应用。该产品符合RoHS环保标准，不含铅，且具有良好的温度稳定性，能够在-55°C至+125°C的宽温度范围内保持电容值变化不超过±15%。CL31F104MBCNNNC广泛用于电源管理电路、DC-DC转换器输入输出滤波、微处理器周边电路以及各类模拟前端模块中。其结构设计优化了等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），有助于提升高频下的噪声抑制能力。此外，该型号采用端接电极为镍/锡（Ni/Sn）镀层，增强了可焊性和长期可靠性，适合回流焊工艺，适用于自动化表面贴装生产线。
电容值：100nF
容差：±20%
额定电压：50V DC
温度特性：X7R
工作温度范围：-55°C ~ +125°C
封装尺寸：0805（2012）
介质材料：X7R
直流偏压特性：典型值在50V下电容下降约30%-50%
绝缘电阻：≥4GΩ·μF或1000MΩ（取较小者）
耐久性：在额定电压和+125°C环境下持续工作1000小时后，电容变化仍在规格范围内
等效串联电阻（ESR）：低，具体值依频率而定
等效串联电感（ESL）：低，适合高频应用
端接类型：镍/锡（Ni/Sn）镀层
符合标准：RoHS、REACH、AEC-Q200（部分等级适用）
CL31F104MBCNNNC采用X7R型介电材料，具有优异的温度稳定性，在-55°C至+125°C的工作温度范围内，电容值的变化不超过±15%，确保了在各种环境条件下的性能一致性。该电容器的电容值为100nF，在同类0805封装产品中属于中高容量段，能够满足大多数去耦和滤波需求。其额定电压为50V DC，提供了足够的安全裕度，适用于多种电源轨，包括3.3V、5V、12V甚至24V系统。尽管X7R材料不具备C0G/NP0级别的精度和线性度，但其较高的介电常数使其能在小尺寸下实现较大电容，显著节省PCB空间。
该器件对直流偏压较为敏感，在接近额定电压时，实际可用电容会显著下降，典型情况下在50V偏压下可能仅保留原始电容的50%-70%。因此在设计中需结合实际工作电压评估有效电容。CL31F104MBCNNNC的机械强度良好，抗热冲击能力强，能承受多次回流焊过程而不损坏。其Ni/Sn端子提供优良的焊接可靠性和长期耐腐蚀性，适用于自动化SMT生产线。此外，该型号通过严格的可靠性测试，包括高温存储、温湿度偏压（THB）、温度循环等，确保在严苛环境中长期稳定运行。
CL31F104MBCNNNC广泛应用于需要中等电容值与较高电压耐受能力的场合。常见用途包括开关电源（SMPS）的输入输出滤波电容，用于平滑电压波动并抑制高频噪声；在DC-DC转换器中作为旁路电容，为芯片提供瞬态电流支持，降低电源阻抗。该器件也常用于微控制器、FPGA、ASIC等数字芯片的电源引脚去耦，有效滤除高频干扰，保障系统稳定性。在工业控制设备、通信模块、网络设备、消费类电子产品（如电视、机顶盒、路由器）中均有广泛应用。
由于其X7R材料特性，该电容器不适合用于高精度定时、振荡或滤波电路，因其电容值随电压、温度和时间存在一定漂移。但在非关键性的耦合、旁路、储能和噪声抑制场景下表现优异。此外，该型号也可用于汽车电子中的辅助电源系统（非引擎舱内），得益于其宽温特性和可靠性认证。在EMI滤波电路中，常与其他元件配合构成π型或LC滤波网络，提升系统的电磁兼容性能。
GRM21BR71H104KA88L
C2012X7R1H104K
CL21F104MBDNNNC
EMK212BBJ1H104KD-T
TC2012X7R50V104K
