型号：CL31C681JGHNFNE
　　制造商：Samsung Electro-Mechanics
　　封装/尺寸：0603 (1608mm)
　　电容值：680pF (681表示68×10^1 pF)
　　容差：±5% (J)
　　额定电压：50V DC
　　温度特性：X7R (或类似，-55°C 至 +125°C，电容变化≤±15%)
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　介质材料：Class II Ceramic (BaTiO3基)
　　电极结构：Ni-barrier (三层端子结构)
　　产品系列：CL31
　　安装类型：表面贴装(SMD)
　　包装形式：卷带编带，标准工业包装

CL31C681JGHNFNE作为三星电机推出的高性能多层陶瓷电容器，具备优异的电气稳定性与机械可靠性。其采用先进的叠层制造工艺，在微小的0603封装内实现了680pF的相对高容量，适用于空间受限但对性能要求较高的电路设计。该电容器的温度特性符合X7R标准，意味着在-55°C到+125°C的工作温度范围内，电容值的变化不超过±15%，这使其能够在宽温环境下稳定运行，适合用于工业控制、汽车电子外围电路以及高温环境下的电源去耦场景。
　　该器件使用镍阻挡层电极技术（Ni-barrier），有效防止外部银电极迁移导致的短路风险，显著提升产品的抗潮湿性能和长期使用寿命。相比传统的纯银端电极MLCC，这种结构大大增强了在高湿、高温反偏（HTRB）测试条件下的可靠性，是高可靠性应用中的优选方案。此外，CL31C681JGHNFNE符合无铅回流焊工艺要求，兼容主流SMT贴片生产线，支持峰值温度达260°C的焊接条件，确保批量生产过程中的良率和一致性。
　　在电气性能方面，该电容器具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），有利于提高高频响应能力，适用于高频噪声滤波和电源轨去耦。尽管其为Class II介质材料，存在一定的直流偏压效应（即施加电压后电容值下降），但在50V额定电压下操作于低至中等偏压环境时仍能保持较理想的容量维持率。结合三星严格的品质管理体系和AEC-Q200等认证基础，CL31C681JGHNFNE适用于对质量和一致性有较高要求的应用场合。

CL31C681JGHNFNE广泛应用于各类需要稳定电容性能的小型化电子设备中。在便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，该电容器常被用作射频模块或电源管理单元中的去耦电容，以滤除高频噪声并稳定供电电压。在通信系统中，包括Wi-Fi模块、蓝牙模组和基站前端电路，它可用于LC滤波网络、阻抗匹配电路以及信号路径中的交流耦合，凭借其稳定的温度特性和紧凑尺寸满足高频设计需求。
　　在计算机与服务器领域，该器件可用于主板上的内存供电去耦、GPU周边滤波电路以及DC-DC转换器输出端的局部储能元件，帮助降低电源纹波并抑制瞬态干扰。此外，在工业自动化控制系统、医疗电子设备和汽车电子（非动力域）中，CL31C681JGHNFNE也常用于传感器信号调理电路、ADC参考电压旁路以及微控制器I/O引脚的噪声抑制，保障系统运行的稳定性与抗干扰能力。
　　得益于其良好的耐湿性和Ni-barrier结构带来的高可靠性，该型号还适用于湿度较高或长期连续运行的环境，例如户外信息终端、网络交换设备和工业网关等应用场景。同时，由于其符合环保法规且支持自动贴装工艺，非常适合大规模自动化生产的需求。

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　　 "GRM188R71H681KA01D",
　　 "C1608X7R1H681K",
　　 "CL21C681JCHNFNE",
　　 "CC0603JRX7R9BB681",
　　 "EMK105BJ681KV-F"
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