CL31C101JGFNNNE 是一种多层陶瓷电容器 (MLCC),属于 C 系列,适用于广泛的电子应用。该型号采用了 X7R 温度特性材料制造,具有良好的温度稳定性和高可靠性,适合用于需要高频和低 ESR 的电路中。此电容器通常应用于电源滤波、信号耦合、去耦以及射频电路等领域。
CL31C101JGFNNNE 使用了先进的工艺技术,在小尺寸封装下提供了大容量和稳定的电气性能,是现代电子设备中的关键元器件。
电容值:1μF
额定电压:50V
公差:±10%
温度特性:X7R (-55°C 至 +125°C)
封装类型:0603英寸
直流偏置特性:较低
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
ESR(等效串联电阻):极低
绝缘电阻:高
介电强度:高
尺寸(长×宽×高):1.6mm × 0.8mm × 0.9mm
CL31C101JGFNNNE 具有以下显著特点:
1. 温度稳定性高:采用 X7R 材料制成,其电容值在 -55°C 至 +125°C 的温度范围内变化较小,非常适合对温度敏感的应用场景。
2. 高可靠性:该型号经过严格的筛选和测试,确保在长时间运行下的稳定性和可靠性。
3. 小型化设计:使用 0603 英寸封装,能够节省 PCB 空间,同时满足现代电子产品对小型化的需求。
4. 低 ESR 和 ESL:低等效串联电阻和低等效串联电感使该电容器能够在高频条件下提供优异的性能,减少能量损耗。
5. 耐受直流偏置效应:相比其他类型的电容器,CL31C101JGFNNNE 对直流偏置的影响较小,确保在实际应用中保持较高的电容值。
6. 广泛的频率响应范围:适用于从低频到高频的各种应用场景,包括电源滤波、信号耦合和射频电路等。
CL31C101JGFNNNE 主要应用于以下领域:
1. 电源滤波:用于平滑直流电源中的纹波电压,提高电源输出的稳定性。
2. 去耦电容:在集成电路和其他高速数字电路中用作去耦电容,降低噪声干扰并保证信号完整性。
3. 射频电路:适用于各种射频应用,例如滤波器、匹配网络和信号耦合。
4. 模拟电路:作为信号耦合或旁路电容,优化模拟信号的质量。
5. 工业控制设备:在工业自动化系统中,为敏感元件提供稳定的电源和信号环境。
6. 消费类电子产品:广泛应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑及其他便携式电子设备中。
CL21A105KQFNNP, GRM1555C1H105KA01D, C1608X7R1E105K125AC