时间：2025/6/25 23:20:48
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CL31B475KBHVPNE 是一款基于硅工艺制造的高压 MOSFET 芯片，主要应用于高效率功率转换场景。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热稳定性，适用于各种工业和消费类电子设备中的电源管理模块。其封装形式为行业标准的表面贴装类型，便于自动化生产。
型号：CL31B475KBHVPNE
类型：N-Channel Enhancement Mode MOSFET
漏源极电压(Vds)：750V
连续漏极电流(Id)：16A
栅极电荷(Qg)：95nC
导通电阻(Rds(on))：0.28Ω
功耗(PD)：200W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装：TO-247
CL31B475KBHVPNE 具备高耐压能力和低导通电阻，能够显著降低传导损耗，提升系统效率。
该芯片采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，确保了更快的开关速度和更低的开关损耗。
其具备出色的热稳定性和鲁棒性，能够在极端温度条件下保持性能稳定。
同时，内置的 ESD 保护电路进一步增强了器件的可靠性。
该器件还支持高频开关应用，非常适合 SMPS（开关模式电源）、逆变器和电机驱动等场景。
CL31B475KBHVPNE 广泛应用于多种功率转换领域，包括但不限于以下场景：
1. 开关模式电源(SMPS)，如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 太阳能逆变器及储能系统。
3. 工业电机驱动和控制电路。
4. 电动车充电设备和车载电源管理系统。
5. 高压 LED 驱动器和其他高效能功率转换设备。
IRFP460, FQA16N75C, STP17NF75
