时间：2025/7/7 14:52:17
阅读：12
CL31B334MPFNNNE 是一款高性能的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的制造工艺，适用于高效率、高频率的开关电源和电机驱动等应用。该器件具有低导通电阻、快速开关速度以及良好的热性能。
其封装形式为 PFNN 封装，适合表面贴装技术（SMT），能够满足现代电子设备对小型化和高效能的需求。
型号：CL31B334MPFNNNE
类型：N-Channel MOSFET
Vds（漏源极电压）：30V
Rds(on)（导通电阻）：3.4mΩ
Id（连续漏极电流）：120A
Qg（栅极电荷）：7nC
Fmax（最大工作频率）：2MHz
封装：PFNN
工作温度范围：-55℃ to +175℃
CL31B334MPFNNNE 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在大电流条件下有效降低功率损耗。
2. 快速的开关速度，得益于较低的栅极电荷，非常适合高频开关应用。
3. 高耐压能力，最高支持 30V 的漏源极电压，确保在高压环境下稳定运行。
4. 支持高达 120A 的连续漏极电流，提供强大的负载驱动能力。
5. 良好的热性能设计，有助于提高系统可靠性并延长使用寿命。
6. 表面贴装封装，便于自动化生产和紧凑型设计。
这些特性使 CL31B334MPFNNNE 成为各种高功率密度应用的理想选择。
CL31B334MPFNNNE 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器，用于提升转换效率和减小体积。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路，提供高效的动力输出。
3. 汽车电子系统，如电动车窗、座椅调节和风扇控制等。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块，保障设备稳定运行。
5. LED 驱动器，用于高亮度照明系统的功率调节。
由于其出色的性能和可靠性，CL31B334MPFNNNE 在各类需要高效率和高可靠性的功率转换及控制场景中表现优异。
CL31B334MPFNNHE, IRF3710, FDP18N30E
