CL31B104KCNE 时间：2025/11/12 16:17:50 阅读：14

CL31B104KCNE是三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的一款多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于高介电常数型陶瓷电容，采用X7R温度特性材料，具有稳定的电容值随温度变化的表现。其标称电容为0.1μF（即100nF），额定电压为50V DC，适用于广泛的去耦、滤波和旁路应用。该型号采用标准的0805（2012公制）封装尺寸，便于在紧凑的PCB布局中使用，并具备良好的焊接可靠性和机械强度。CL31B系列注重可靠性与性能平衡，广泛应用于消费类电子产品、工业控制设备以及通信模块中。
　　作为一款主流的表面贴装电容，CL31B104KCNE符合RoHS环保要求，并通过了AEC-Q200等可靠性认证，适合对稳定性有较高需求的应用场景。其结构设计优化了ESL（等效串联电感）和ESR（等效串联电阻），从而在高频工作条件下仍能保持较好的阻抗特性，有助于提升电源完整性和信号质量。此外，该产品在制造过程中采用严格的工艺控制，确保批次间的一致性，适用于自动化贴片生产线。

参数

电容值：0.1μF
　　容差：±10%
　　额定电压：50V DC
　　温度特性：X7R
　　封装尺寸：0805（2.0mm x 1.25mm）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　介质类型：高介电常数陶瓷（Class II）
　　直流偏压特性：典型条件下施加额定电压时电容值下降约30%-50%
　　绝缘电阻：≥4GΩ·μF或1000MΩ（取较大者）
　　耐焊热性：符合IEC 60068-1标准
　　可靠性寿命：在额定电压和125°C环境下可连续工作1000小时以上

特性

CL31B104KCNE所采用的X7R陶瓷介质赋予其优异的温度稳定性，能够在-55°C至+125°C范围内保持电容值变化不超过±15%，这使其适用于需要宽温工作的电子系统。相比Y5V等材料，X7R在温度漂移方面的表现更为出色，同时仍能提供较高的体积效率，适合在有限空间内实现较大电容值的需求。
　　该电容器的一个关键优势是其在直流偏压下的电容保持能力。尽管所有Class II陶瓷电容都会因施加电压而导致介电常数下降，但CL31B系列通过材料配方和叠层结构优化，在50V额定电压下仍能保留约50%-60%的标称电容，这一特性对于电源去耦尤其重要，因为实际工作电压接近额定值时仍需保证足够的有效电容。
　　其0805封装形式兼顾了焊接可靠性与贴装密度，适合回流焊工艺，并能在振动和热循环环境中保持结构完整性。此外，该器件具有低等效串联电阻（ESR）和适度的等效串联电感（ESL），有利于在数十MHz频率范围内有效滤除噪声，广泛用于IC电源引脚的旁路设计。
　　CL31B104KCNE还具备良好的长期稳定性，老化率约为每十年2.5%左右，远低于其他高介电材料。其生产过程遵循TS16949质量管理体系，确保产品一致性，特别适用于汽车电子、医疗设备和工业控制系统等对可靠性要求较高的领域。

应用

CL31B104KCNE因其稳定的电气性能和紧凑的封装，被广泛应用于各类电子电路中。最常见的用途是在集成电路（如微处理器、FPGA、ASIC）的电源输入端进行去耦，以抑制高频噪声并稳定供电电压。其0.1μF的典型值恰好对应于大多数数字电路推荐的旁路电容容量，能够有效滤除1MHz至100MHz范围内的干扰信号。
　　在电源管理系统中，该电容常用于DC-DC转换器、LDO稳压器的输入和输出滤波网络中，协助平滑电压波动并提高环路稳定性。配合不同容值的电容组合使用时，可覆盖更宽的频率响应范围，增强整体滤波效果。
　　此外，该器件也适用于模拟信号路径中的耦合与退耦，例如音频放大器、传感器接口电路和ADC/DAC前端，帮助隔离直流分量并减少噪声串扰。在射频模块中，虽然不作为主调谐元件，但仍可用于偏置电路的滤波或匹配网络的辅助元件。
　　由于其通过AEC-Q200认证，该型号也被广泛用于车载电子设备，如车载信息娱乐系统、ADAS模块和车身控制单元，在高温、高湿和强振动环境下仍能可靠运行。同时，它在工业自动化、智能家居网关和通信基站中也有大量应用，体现出良好的通用性和环境适应能力。