CL31A476MPHNNNE/WE 是一款高性能的功率 MOSFET,采用先进的半导体工艺制造。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适用于各种高效能开关电源、电机驱动和负载切换等应用。其封装形式为 TO-263-3(D2PAK),能够承受较高的电流和电压,并提供良好的散热能力。
该器件属于逻辑电平栅极驱动类型,可直接与微控制器或其他数字电路连接,简化了系统设计。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:47A
导通电阻:4.5mΩ(典型值)
栅极阈值电压:2.1V
最大功耗:225W
工作温度范围:-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗,提升整体效率。
2. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常情况下的耐用性。
3. 快速开关性能,适合高频开关应用。
4. 符合 RoHS 标准,环保且无铅。
5. 良好的热稳定性,确保在高温环境下的可靠运行。
6. 小型化封装,节省 PCB 空间,同时保持优秀的散热性能。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流器。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 汽车电子领域,如直流-直流转换器、电池管理系统(BMS)和发动机控制单元(ECU)。
4. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
5. 太阳能逆变器中的功率调节模块。
6. LED 驱动器中的恒流控制元件。
IRLZ44N, FDP5800, AO3400