时间：2025/11/13 20:14:19
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CL21C820JBANNNL是一款由三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于高稳定性的X7R电介质系列，适用于广泛的工作温度范围（-55°C至+125°C），在温度变化下具有较小的电容漂移，适合对稳定性要求较高的电路应用。CL21C820JBANNNL采用标准的0805（2012公制）封装尺寸，具备良好的焊接可靠性和表面贴装兼容性，广泛用于消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域。该电容器采用镍阻挡层和薄介质层设计，能够在有限的空间内实现较高的电容值与可靠性。其命名遵循三星的标准编码规则：CL代表多层陶瓷电容，21表示尺寸代码（对应0805），C表示X7R电介质，820表示标称电容值为82pF，J表示电容公差±5%，B表示额定电压为50V，A表示端接材料为镍/锡，NNNL则表示卷带包装形式及无铅兼容特性。这款产品符合RoHS环保标准，并通过了AEC-Q200等可靠性认证，适用于自动化贴片生产线，是现代高密度PCB设计中的常用元件之一。
电容值：82pF
公差：±5%
额定电压：50V
温度特性：X7R
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
封装尺寸：0805（2.0mm × 1.25mm）
电介质材料：陶瓷（Class II, X7R）
安装类型：表面贴装（SMD）
端接类型：Ni/Sn（镍/锡）
包装形式：卷带（Tape and Reel）
CL21C820JBANNNL采用先进的多层陶瓷制造工艺，内部由交替堆叠的贵金属电极（如镍-钯）与X7R型介电陶瓷层构成，确保了在宽温范围内电容值的稳定性。X7R材料意味着该电容器在-55°C到+125°C之间的电容变化不超过±15%，相较于Y5V或Z5U等材料更为稳定，适合用于滤波、耦合、去耦和旁路等关键信号路径中。该器件的结构设计优化了机械应力耐受能力，减少了因PCB弯曲或热胀冷缩引起的微裂纹风险，从而提高了长期使用的可靠性。
其0805封装尺寸在空间利用和焊接工艺之间取得了良好平衡，既适用于高密度贴装又兼容主流回流焊工艺。50V的额定电压使其可用于中低压电源轨的去耦应用，例如为运算放大器、逻辑IC或传感器供电的线路中提供稳定的局部储能。此外，该电容具有低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL），有助于有效抑制高频噪声，提升系统电磁兼容性（EMC）表现。
CL21C820JBANNNL还具备优异的抗湿性和长期老化性能，即使在高温高湿环境下也能保持稳定的电气特性。其端子采用镍阻挡层加锡覆盖的设计，防止银离子迁移问题，同时确保良好的可焊性与长期连接可靠性。该产品符合无铅焊接要求，支持无铅回流焊温度曲线（最高可达260°C），满足现代绿色电子产品制造的需求。由于其高度标准化的参数和可靠的品质控制，该型号被广泛应用于各类工业级和汽车级电子模块中。
CL21C820JBANNNL因其稳定的电气性能和高可靠性，广泛应用于多种电子系统中。在消费类电子产品中，它常用于手机、平板电脑、智能穿戴设备中的电源管理单元（PMU）去耦、射频模块旁路以及模拟前端滤波电路。在通信设备领域，该电容器可用于路由器、交换机和基站中的信号调理电路，提供稳定的阻抗匹配和噪声抑制功能。
在工业控制系统中，该器件用于PLC模块、数据采集系统和传感器接口电路中，作为去耦和滤波元件，保障系统在恶劣环境下的稳定运行。其宽温特性和高可靠性也使其适用于汽车电子应用，例如车载信息娱乐系统、车身控制模块（BCM）、ADAS传感器供电网络等，满足AEC-Q200对被动元件的严苛要求。
此外，在医疗电子、测试测量仪器以及电源转换模块（如DC-DC变换器输出滤波）中，CL21C820JBANNNL也发挥着重要作用。其小尺寸、高性能的特点使其成为现代高集成度PCB设计中不可或缺的基础元件之一，尤其适用于需要长期稳定工作的封闭式电子设备。
GRM21BR71H820KA01L
C0805C820J5GACTU
MC08058C820J5CT
CC0805JRNPO9BN820
