容量：256M x 16位
　　电压：1.8V
　　封装类型：mBGA
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　数据速率：166MHz
　　接口类型：并行
　　封装尺寸：108-ball
　　内存类型：DRAM
　　组织结构：x16

H5DU2562GTR-E3CR是一款面向移动设备的高性能DRAM芯片，具备低功耗和高集成度的特点。该芯片支持自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）模式，能够有效降低功耗并延长电池续航时间，非常适合移动设备的使用场景。此外，该芯片支持1.8V的低压工作电压，有助于降低整体系统功耗，并减少热量产生。
　　该芯片的存储容量为256M x 16位，能够提供较大的数据存储空间和较高的数据带宽，适用于需要大量内存的图形处理和多媒体应用。其166MHz的数据速率确保了高速的数据存取能力，满足现代移动设备对快速响应和高效处理的需求。同时，H5DU2562GTR-E3CR采用mBGA封装技术，具有良好的电气性能和散热能力，能够适应高密度的PCB布局要求。
　　在工作温度方面，H5DU2562GTR-E3CR支持-40°C至+85°C的宽温范围，能够在极端环境下稳定运行，适用于各种工业和消费类电子应用。此外，该芯片支持多种工作模式，包括快速页面模式（Fast Page Mode）和突发模式（Burst Mode），以提高数据访问效率。

H5DU2562GTR-E3CR主要用于移动设备中的内存模块，如智能手机、平板电脑和便携式游戏设备。它也适用于需要高性能、低功耗内存的嵌入式系统，如工业控制设备、车载娱乐系统和智能穿戴设备。由于其高容量和高速特性，该芯片也可用于图形加速卡、多媒体播放器和高端消费电子产品中的缓存存储。

H5DU2562GTR-E3CR的替代型号包括H5DU2562GTR-E3CM和H5DU2562GTR-EBCR，它们在封装、电压和功能方面具有相似的特性。