型号：CL21C222GBFNNNF
　　制造商：Samsung Electro-Mechanics
　　封装/尺寸：0805 (2.0mm x 1.25mm)
　　电容值：2.2nF (2200pF)
　　容差：±2% (G)
　　额定电压：50V DC
　　介质材料：C0G (NP0)
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度特性：0±30ppm/°C
　　产品系列：CL21
　　安装类型：表面贴装 (SMD)
　　老化特性：无明显老化
　　直流偏压特性：无容量下降
　　端接类型：镍障层/锡外涂层 (Ni-Sn)

CL21C222GBFNNNF采用C0G（也称NP0）陶瓷介质，这是目前最稳定的电容器介质之一，能够在整个工作温度范围内保持极其稳定的电容值。其温度系数为0±30ppm/°C，意味着在-55°C到+125°C的宽温范围内，电容值的变化微乎其微，远优于X7R、Y5V等其他介质材料。这种高度稳定性使其特别适用于振荡器、滤波器、谐振电路、定时电路以及高精度模拟信号处理等对频率和相位响应要求严苛的应用场景。此外，C0G介质具有极低的介电损耗（tanδ通常低于0.1%），因此在高频下仍能保持优异的性能，不会因自身发热或能量损耗影响系统效率。
　　该电容器的电气性能不受施加电压的影响，即使在接近额定电压50V的情况下，其电容值也不会出现像高介电常数材料（如X7R）那样的显著下降。这一特性保证了电路设计的一致性和可预测性，尤其在电源去耦和模拟前端设计中至关重要。同时，由于C0G材料本质上是非铁电性的，因此不存在电压非线性效应和微音效应（microphonics），避免了机械振动转化为电信号干扰的问题，提升了系统的抗噪能力和可靠性。
　　CL21C222GBFNNNF采用多层结构设计，在小型0805封装内实现了较高的可靠性和电流承载能力。其端电极采用镍阻挡层和锡外涂层（Ni-Sn），不仅提供了良好的可焊性，还能有效防止焊接过程中银离子迁移导致的短路风险。产品符合RoHS指令要求，支持无铅回流焊工艺，适应现代绿色制造的需求。此外，该器件无老化现象，长期使用后电容值不会随时间衰减，确保了电子产品的长期稳定运行。

CL21C222GBFNNNF因其出色的温度稳定性和低损耗特性，被广泛应用于对信号完整性要求较高的电子系统中。常见用途包括射频（RF）电路中的匹配网络、滤波器和耦合电容，其中稳定的电容值能够确保频率响应的一致性，避免因温度波动引起的信号漂移。在精密模拟电路如运算放大器反馈回路、有源滤波器和ADC/DAC接口电路中，该电容可用于提供准确的相位补偿和噪声滤除，提升系统精度。此外，它也常用于时钟振荡器电路中作为负载电容，配合晶体或陶瓷谐振器工作，确保频率输出的长期稳定性。
　　在电源管理领域，尽管C0G电容的单位体积容量较小，但其在高频去耦方面表现优异，特别适合用于高速数字IC（如FPGA、ASIC、微处理器）的局部去耦，有效滤除高频噪声并维持电源轨的平稳。由于其无电压依赖性，即使在动态负载变化下也能提供一致的去耦效果。工业控制系统、医疗设备、测试测量仪器等高可靠性设备中也普遍采用此类电容，以满足严格的环境适应性和长期稳定性要求。
　　在汽车电子中，CL21C222GBFNNNF可用于车载信息娱乐系统、传感器信号调理电路和车身控制模块等，其宽温特性和高可靠性符合AEC-Q200等车规标准的部分要求（具体需参考制造商的车规认证情况）。此外，在通信基础设施如基站、光模块和路由器中，该电容用于高速信号通道的耦合与去耦，保障数据传输的完整性。总体而言，凡是需要高稳定性、低失真和高可靠性的场合，CL21C222GBFNNNF都是理想的选择。

GRM21BR71H222KA01L
　　CC0805JRNPO9BN2200
　　C2012JB1H222K