型号：CL21B474KOFNNNG
　　制造商：Samsung Electro-Mechanics
　　封装/尺寸：CL21 (0805)
　　电容值：470nF (474)
　　额定电压：50V DC
　　电容容差：±10%
　　介电材料：X7R
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度特性：符合EIA X7R标准
　　端接类型：镍障层/锡（Ni-Sn），无铅
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　介质类型：Class II 多层陶瓷
　　老化率：约±2.5%/decade 在25°C下
　　典型应用频率范围：kHz 至 MHz 级别
　　最小包装形式：卷带包装（Tape and Reel）
　　符合标准：RoHS、REACH、AEC-Q200（视具体批次而定）

CL21B474KOFNNNG 作为一款高性能的X7R类多层陶瓷电容器，具备出色的电性能稳定性与环境适应能力。其核心特性之一是X7R介电材料所带来的宽温工作能力，在-55°C到+125°C的整个温度区间内，电容值的变化不超过±15%，这使得它非常适合用于对温度敏感度有一定要求但又不需要NP0/C0G级别超高精度的应用场景。相较于Class I电容器如C0G，X7R虽然存在一定的非线性温漂和电压系数，但在成本、体积和容量密度方面具有显著优势。该器件的470nF电容值在50V耐压等级下实现了较高的体积效率，特别适用于空间受限的设计。同时，由于采用先进的叠层工艺，内部电极交错排列，有效降低了等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR），从而提升了其在中高频段的去耦效能，能快速响应瞬态电流变化，保障电源轨稳定。该电容器还具备良好的耐湿性和抗热冲击性能，在回流焊接过程中表现出优异的可靠性，不易出现裂纹或分层现象。其无铅端子结构不仅满足当前主流环保法规要求，而且通过优化端接设计增强了与PCB焊盘之间的结合力，提高了长期使用的机械可靠性。此外，该产品经过严格的质量控制流程，具备高批量一致性，适合大规模自动化贴片生产。在寿命方面，其设计寿命长达数万小时，在额定条件下可长期稳定运行，极少发生早期失效。
　　值得一提的是，CL21B474KOFNNNG 的电气特性会受到直流偏置电压的影响——随着施加电压接近额定值，实际可用电容会有所下降，这是Class II陶瓷材料的固有特性。因此在电路设计时需参考制造商提供的DC偏压曲线进行降额设计，以确保系统在最恶劣工况下仍能满足滤波或储能需求。总体而言，这款电容器在性能、尺寸、成本和可靠性之间取得了良好平衡，是现代电子系统中不可或缺的基础元件之一。

CL21B474KOFNNNG 广泛应用于各类需要中等容量、中高压和良好温度稳定性的电子电路中。常见用途包括开关模式电源（SMPS）中的输入和输出滤波电容，用于平滑整流后的电压波动并抑制高频噪声传导。在DC-DC转换器模块中，它常被用作输入旁路电容，以提供瞬态电流支持并降低输入阻抗，提高系统效率和稳定性。此外，在模拟信号链路中，该电容器可用于级间耦合、去耦和低通滤波，尤其适用于音频处理、传感器接口和数据采集系统等场合。在数字系统中，尽管更高频去耦通常由更小容值的C0G电容承担，但CL21B474KOFNNNG 可作为次级去耦元件，协助稳定局部电源网络，特别是在微处理器、FPGA或ASIC的外围供电路径中发挥重要作用。工业控制设备、通信基站、网络交换机、医疗仪器以及汽车电子模块（如车身控制单元BCM）也大量采用此类电容器，因其能在较宽温度范围和复杂电磁环境中可靠工作。此外，消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能家居网关等在其电源管理单元（PMU）中也会集成该型号，以实现紧凑化设计与高效能兼顾的目标。由于其符合RoHS标准且具备良好的可制造性，该器件适用于回流焊工艺，兼容现代SMT生产线，能够满足大批量、高良率的生产需求。在某些对成本敏感但性能要求适中的设计中，它可以替代钽电容或铝电解电容，避免极性错误风险，并提升整体系统可靠性。总之，该电容器凭借其综合性能优势，已成为现代电子设计中广泛应用的关键被动元件之一。

GRM21BR71H474KA01L
　　CC0805KRX7R9B474
　　C2012X7R1H474K