时间：2025/11/19 14:30:48
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CL21B184KOANNNC是一款由三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于高介电常数的X7R或X5R类型的陶瓷材料体系，具有较高的电容密度，适用于需要小型化和高稳定性的电子电路设计。CL21B184KOANNNC的封装尺寸为0805（英制），即公制2012，额定电容为0.18μF（180nF），允许有一定的容差范围，通常为±10%。该电容器的工作电压为50V DC，适合在中等电压应用中使用，并具备良好的温度稳定性，可在-55°C至+125°C的宽温度范围内保持电容值变化在±15%以内（依据EIA标准X7R特性）。
这款MLCC广泛应用于去耦、滤波、旁路、信号耦合及电源管理等场景，尤其适合高密度贴装的PCB设计。其结构采用镍障层电极技术（Ni-barrier termination），提升了抗硫化能力和焊接可靠性，符合RoHS环保要求，并具备良好的耐热冲击性能。由于三星MLCC产品在全球市场上具有较高的可靠性和供货稳定性，CL21B184KOANNNC被广泛用于消费类电子产品、工业控制设备、通信模块以及汽车电子等领域。
型号：CL21B184KOANNNC
制造商：Samsung Electro-Mechanics
电容：0.18μF (180nF)
容差：±10%
额定电压：50V DC
温度特性：X7R（-55°C ~ +125°C, ±15%）
封装/尺寸：0805（2012公制）
介质材料：陶瓷（Class II, High-K）
终端类型：Ni-Sn（镍锡镀层）
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
产品系列：CL21
安装方式：表面贴装（SMD）
抗硫化能力：有
RoHS合规性：是
CL21B184KOANNNC采用先进的多层陶瓷制造工艺，内部由交替堆叠的陶瓷介质与内电极构成，形成多个并联的电容单元，从而实现小体积下较高的电容量。其使用的Class II高介电常数陶瓷材料（如X7R配方）能够在较宽的温度范围内维持稳定的电气性能，尽管其电容会随电压和频率有一定非线性变化，但仍优于其他低稳定性介质类型。这种材料特别适用于对电容稳定性要求适中但需要较高容值的应用场合。
该器件具备优异的机械强度和热循环耐受能力，能够在回流焊过程中承受高达260°C的峰值温度而不损坏。其端子采用镍阻挡层加锡镀层设计，有效防止银离子迁移和外界硫化物侵蚀，显著提升在恶劣环境下的长期可靠性，特别是在高湿度、高温或含硫气氛环境中表现突出。此外，CL21系列优化了堆叠结构以降低等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），从而增强高频去耦效果，适用于开关电源中的噪声抑制电路。
CL21B184KOANNNC还具备良好的直流偏压特性，在接近额定电压工作时仍能保持大部分标称电容值，相较于某些低价MLCC产品表现出更优的电压稳定性。同时，该型号经过严格的质量控制流程，符合AEC-Q200等车规级认证标准的部分测试项目，可用于部分车载电子系统。整体而言，该电容器结合了高性能、高可靠性和紧凑尺寸，满足现代电子设备向轻薄化、集成化发展的需求。
CL21B184KOANNNC因其稳定的温度特性和适中的额定电压，广泛应用于各类电子系统中的去耦和滤波电路。在数字集成电路（如MCU、FPGA、ASIC）的电源引脚附近，它常被用作旁路电容，以吸收瞬态电流波动并抑制高频噪声，确保供电平稳。在DC-DC转换器、LDO稳压电路中，该电容可作为输入和输出滤波元件，有效减少电压纹波，提高电源效率与系统稳定性。
此外，该器件也适用于模拟信号链中的耦合与去耦应用，例如音频放大器、传感器信号调理电路等，能够隔离直流分量并传递交流信号，同时避免因温度变化引起的电容漂移影响系统精度。在通信设备中，包括无线模块、射频前端匹配网络，CL21B184KOANNNC可用于中低频段的滤波与阻抗匹配，支持稳定信号传输。
由于其具备一定的环境耐受能力，该型号也被用于工业自动化控制系统、医疗电子设备以及车载信息娱乐系统中。在汽车电子领域，虽然不属于完全车规认证型号，但在非关键性辅助电路中仍有广泛应用。同时，消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能家居设备等大量采用此类MLCC，以实现高密度PCB布局和长期运行可靠性。总之，CL21B184KOANNNC是一款通用性强、适应面广的表面贴装陶瓷电容，适用于多种中压、中容值需求的场景。
GRM21BR71H184KA01L
C0805X7R1H184K050BB
CL21A184KAQNNNE
MC0805YD184KA3HP
UML2121M184KV
