CL21B152KBANNNC是一种多层陶瓷电容器(MLCC),属于C0G/NP0介质类型的电容器,具有高稳定性和低温度系数的特点。这种电容器广泛应用于需要高频率和低ESR的电路中,例如射频模块、滤波器、振荡器等。该型号采用贴片式封装,适合表面贴装技术(SMT),能够有效节省PCB空间。
容量:15pF
额定电压:50V
公差:±0.3pF
工作温度范围:-55℃至+125℃
尺寸:0402英寸(1.0mm x 0.5mm)
介质材料:C0G/NP0
封装类型:表面贴装
CL21B152KBANNNC采用了C0G/NP0介质材料,这种材料具有极高的温度稳定性,在-55℃到+125℃的温度范围内,其容量变化小于±30ppm/℃。此外,该电容器还具备低损耗和高Q值的特点,适用于高频电路环境。
由于采用了多层陶瓷结构,CL21B152KBANNNC能够在有限的空间内提供较高的电容密度,同时保持较低的等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL)。这使其成为高性能射频和无线通信应用的理想选择。
另外,其小巧的0402封装设计非常适合现代小型化电子产品的需求,如智能手机、可穿戴设备以及物联网设备。
CL21B152KBANNNC主要应用于高频电路中的信号耦合、去耦和滤波功能。它可以用于以下场景:
- 射频前端模块中的匹配网络和滤波器
- 高速数字电路中的电源去耦
- 振荡器和晶体电路中的负载电容
- 无线通信设备中的谐振回路
- 高精度测量仪器中的参考电容
由于其高稳定性和小尺寸特点,它在消费电子、工业控制、汽车电子和医疗设备领域都有广泛应用。
CL21A152KBBNNC
GRM033C80J150KA01D
CC0402C152KBHNAT
DMC0402C152KBN