型号：CL21B106KQQNNNG
　　制造商：Samsung Electro-Mechanics
　　封装/尺寸：0805 (2012)
　　电容值：10μF
　　容差：±10%
　　额定电压：50V DC
　　介电材料：X7R
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度特性：ΔC/C ≤ ±15% (-55°C ~ +125°C)
　　电极结构：Ni-barrier (Nickel Barrier)
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　产品系列：CL21
　　包装形式：卷带（Tape & Reel）
　　引脚数：2
　　最小包装数量：4000只/卷
　　ESR（等效串联电阻）：低（具体值依频率而定）
　　绝缘电阻：≥1000MΩ 或 ≥100MΩ·μF（取较大者）
　　耐久性：在额定电压和+125°C下连续工作1000小时后，电容变化≤初始值的-75%/+25%

CL21B106KQQNNNG作为一款高性能多层陶瓷电容器，其核心优势在于采用了X7R型介电材料，在宽温度范围内表现出优异的电容稳定性。X7R材料确保了在-55°C至+125°C的工作温度区间内，电容值的变化不超过±15%，这对于需要在复杂环境条件下保持电路性能稳定的系统至关重要。这一特性使其特别适用于电源去耦和中间储能应用，例如在DC-DC转换器的输入输出端使用时，能够有效抑制电压波动并提升系统的整体效率。
　　该器件采用0805小型化封装，实现了高电容密度与紧凑尺寸之间的良好平衡，满足现代电子产品对轻薄化和高集成度的需求。尽管尺寸较小，但其仍能提供10μF的较大电容值，这得益于三星先进的叠层制造工艺和高介电常数陶瓷材料的应用。同时，该电容器具备低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL），有助于减少高频噪声和纹波电流损耗，从而提高电源系统的动态响应能力。
　　Ni-barrier（镍阻挡层）端子结构是CL21B106KQQNNNG另一项关键技术特征。该结构通过在内电极与外电极之间设置镍扩散阻挡层，显著提升了器件的可靠性和耐久性，特别是在多次回流焊过程中可有效防止银离子迁移或铜扩散导致的短路风险。此外，这种结构增强了焊接强度和热循环耐受能力，使器件能够在高温、高湿及剧烈温度变化的环境中长期稳定运行。
　　CL21B106KQQNNNG还具备出色的机械强度和抗裂性能，针对贴片过程中可能出现的板弯或应力开裂问题进行了优化设计。其堆叠结构和端电极工艺经过专门调整，以降低因PCB变形引起的陶瓷破裂概率。此外，该产品符合AEC-Q200标准的部分可靠性要求，虽非车规级认证型号，但在工业级应用中表现稳健。综合来看，该电容器凭借其稳定的电气性能、可靠的物理结构和良好的加工适应性，成为众多中高压、中容量应用场景中的优选元件。

CL21B106KQQNNNG广泛应用于各类需要稳定电容性能和较高电压耐受能力的电子电路中。在电源管理系统中，它常被用作DC-DC转换器、LDO稳压器的输入和输出滤波电容，用于平滑电压波动、降低纹波噪声，并提供瞬态电流支持。由于其10μF/50V的参数组合适中，特别适合于中等功率级别的电源模块设计。
　　在消费类电子产品领域，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和智能家居设备中，该电容器用于处理器供电网络的去耦，确保高速数字芯片在开关瞬间获得稳定的局部能量供应，避免电压跌落影响系统运行。其低ESR特性有助于提升电源完整性，减少电磁干扰（EMI）。
　　此外，该器件也常见于工业控制设备、通信模块、传感器接口电路和便携式医疗仪器中，承担旁路、耦合和噪声抑制功能。在这些应用中，CL21B106KQQNNNG的宽温特性和长期可靠性保障了设备在恶劣环境下的持续稳定工作。
　　值得一提的是，虽然该型号未通过完整的AEC-Q200车规认证，但仍可用于部分车载非关键系统，如车载信息娱乐系统、车内照明驱动或辅助电源单元，在成本与性能之间取得良好平衡。总体而言，CL21B106KQQNNNG是一款通用性强、性价比高的MLCC器件，适用于多种中高端电子产品的电路设计需求。

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　　 "GRM21BR71H106KA01L",
　　 "C0805X7R1H106K",
　　 "CL21A106KPFNNNE",
　　 "TC321B106M50R",
　　 "ECJ-2VB1H106K"
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