型号：CL21B105KBFNNNF
　　制造商：Samsung Electro-Mechanics
　　尺寸代码（公制/英制）：2112 (2.0mm x 1.25mm) / 0805
　　电容值：1.0μF (105)
　　容差：±10% (K)
　　额定电压：50V DC (B)
　　介电材质：X7R (B)
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度特性：ΔC/C ≤ ±15%
　　端电极结构：Ni-Sn（三层电极）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　RoHS合规性：是
　　无铅：是

CL21B105KBFNNNF 采用先进的多层陶瓷工艺制造，具有优异的电气性能和机械稳定性。其核心介质为 X7R 类陶瓷材料，这种材料在宽温范围内表现出良好的电容稳定性，能够在 -55°C 到 +125°C 的极端温度条件下维持电容值的变化不超过 ±15%，这使得它非常适合用于对温度敏感的应用场景，如电源模块、DC-DC 转换器和模拟信号调理电路。相比使用 Y5V 或 Z5U 等高介电常数但温度稳定性差的介质材料，X7R 在长期可靠性和参数一致性方面表现更佳。
　　该电容器的结构设计采用了均匀分布的内部电极叠层技术，有效降低了等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR），从而提升了其在高频下的阻抗特性，使其在去耦和噪声滤波应用中表现出色。例如，在数字 IC 的电源引脚附近用作旁路电容时，能够快速响应瞬态电流需求，抑制电压波动，提高系统稳定性。此外，其 50V 的额定电压使其适用于多种中压电路环境，包括 5V、12V 和 24V 系统，具备较强的通用性。
　　CL21B105KBFNNNF 还具备出色的抗湿性和耐焊接热冲击能力，符合 JEDEC J-STD-020 回流焊标准，支持无铅回流焊接工艺，适用于现代绿色电子产品制造流程。其 Ni-Sn 端电极为表面贴装提供了良好的润湿性与焊接可靠性，减少虚焊或立碑等缺陷的发生概率。器件本身不含卤素，符合 RoHS 和 REACH 环保规范，满足出口电子产品对环保材料的要求。
　　在实际应用中，该型号电容因其体积小巧、性能稳定而被广泛用于智能手机、平板电脑、路由器、工业控制器、LED 驱动电源以及汽车电子中的非动力控制系统中。尽管其不属于高精度或超高频专用电容（如 C0G/NP0 类型），但在大多数常规应用场景下已能提供足够可靠的性能支持。

CL21B105KBFNNNF 主要应用于需要中等容量去耦、滤波和信号耦合的电子电路中。常见用途包括电源管理单元中的输入输出滤波电容，用于平滑直流电压并减少纹波干扰；在 DC-DC 转换器和 LDO 稳压器周围作为旁路电容，吸收高频噪声并提供瞬态电流支撑；在微处理器、FPGA 和 ASIC 的电源引脚处进行局部去耦，防止因开关电流引起的电压跌落影响芯片正常运行。
　　此外，该器件也常用于模拟前端电路中的交流耦合电容，隔离直流偏置的同时传递交流信号；在音频放大器、传感器接口电路和数据采集系统中发挥信号通路滤波作用。由于其具备良好的温度稳定性和较长的使用寿命，也被广泛应用于工业控制设备、网络通信模块（如交换机、光模块）、消费类电子产品（如电视、机顶盒、智能家居设备）以及车载信息娱乐系统中。
　　在 PCB 布局设计中，建议将该电容尽可能靠近目标芯片的电源引脚放置，并通过短而宽的走线连接到电源和地平面，以最大限度降低回路电感，提升去耦效果。同时应注意避免将其置于高温区域或靠近发热元件，以免超出其热应力承受范围。总体而言，CL21B105KBFNNNF 是一款性价比高、适用范围广的标准型 MLCC 器件，适用于大批量生产和成熟电路设计中。

GRM21BR71H105KA01L
　　CC0805KRX7R9BB105
　　C2012X7R1H105K