时间：2025/7/4 20:34:04
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RF15N0R5A500CT 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)，由 RFMD（现为 Qorvo）生产。该器件采用 GaN 技术，提供高功率密度和高频性能，适用于射频功率放大器和其他射频应用。其设计旨在满足通信、雷达以及航空航天等领域的高性能需求。
该型号基于增强型 GaN 工艺制造，具备低导通电阻、高击穿电压和优异的热性能特点，从而实现高效能和小尺寸解决方案。
最大漏源电压：150V
连续漏极电流：20A
峰值脉冲漏极电流：60A
导通电阻：5mΩ
栅极电荷：140nC
反向传输电容：75pF
工作温度范围：-55℃至+175℃
RF15N0R5A500CT 提供卓越的射频性能和可靠性，主要特性包括：
1. 高效率：通过降低导通电阻和开关损耗，提高了整体系统效率。
2. 高频率能力：支持高达数GHz的工作频率，非常适合现代无线通信系统。
3. 小巧封装：紧凑的设计减少了PCB空间占用，简化了系统集成。
4. 热稳定性：良好的散热性能允许在更高温度下稳定运行。
5. 增强可靠性：经过严格测试以确保长期使用的稳健性和一致性。
这些特性使该晶体管成为需要高功率和高频工作的理想选择。
RF15N0R5A500CT 广泛应用于各种射频功率相关领域：
1. 基站功率放大器：用于 LTE、5G 和其他无线通信基础设施。
2. 雷达系统：提供强大的信号输出，支持气象、军事及航空应用。
3. 航空航天设备：适用于卫星通信、导航系统以及其他太空任务。
4. 医疗成像：助力超声波和磁共振成像技术中的射频组件。
5. 测试与测量仪器：为信号发生器和频谱分析仪提供精确的射频功率控制。
凭借其出色的性能，这款晶体管能够应对多种复杂环境下的挑战。
RF15N0R5A400CT
RF15N0R5A600CT
