时间：2025/11/12 17:20:00
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CL21B104KBCNFNC 是由三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的一款多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于通用型贴片电容，广泛应用于各类电子设备的电路设计中。其命名遵循标准的MLCC型号编码规则，其中CL代表陶瓷电容，21表示尺寸代码（对应0805英制封装，即2.0mm x 1.25mm），B代表额定电压为50V，104表示电容值为100nF（即0.1μF），K代表电容容差为±10%，B表示温度特性为X7R（或等效材料），C表示端接方式为镍/锡镀层，N表示编带包装，F和NC通常为环保标识和无卤素确认，表明产品符合RoHS与无卤要求。该电容器采用高可靠性陶瓷介质和稳定的内部结构设计，在多种工作环境下均能保持良好的电气性能。由于其体积小、高频响应好、自谐振频率较高，适合用于去耦、旁路、滤波及信号耦合等应用场景。
电容值：100nF (0.1μF)
容差：±10%
额定电压：50V
温度特性：X7R (ΔC/C ≤ ±15% @ -55°C 至 +125°C)
工作温度范围：-55°C ~ +125°C
外壳尺寸：2.0mm x 1.25mm (0805)
厚度：约1.25mm
直流偏压特性：随电压上升电容值略有下降，典型在50V下保持约70~80%标称值
绝缘电阻：≥4GΩ 或 ≥500Ω·F（取较大者）
耐湿性：符合IEC 61193-1 Level 1a
可焊性：符合J-STD-020标准
端子电极：Ni/Sn镀层
包装形式：卷带包装（Tape and Reel）
符合标准：RoHS、REACH、无卤素
CL21B104KBCNFNC 具备优良的温度稳定性与电压适应能力，其核心介质材料基于X7R类陶瓷配方，能够在-55°C至+125°C的宽温范围内维持电容变化不超过±15%，这使其适用于工业级和消费类电子产品中的复杂热环境应用。相较于Z5U或Y5V等材料，X7R介质在温度漂移控制方面表现更佳，尤其在电源去耦和模拟信号路径中可提供稳定的电容行为。该电容的50V额定电压适配于多数中低压系统，包括3.3V、5V、12V乃至24V供电轨的旁路需求，能够有效抑制瞬态噪声并提升电源完整性。
该器件采用先进的叠层制造工艺，内部由数十至上百层陶瓷与内电极交替堆叠而成，显著降低了等效串联电感（ESL），从而提高了自谐振频率（SRF），有利于在几十MHz到数百MHz频段实现高效的高频去耦。同时，其等效串联电阻（ESR）较低，减少了功率损耗，提升了系统效率。此外，CL21B104KBCNFNC 的机械结构坚固，具备良好的抗弯曲和抗热冲击能力，适用于回流焊工艺，并能在PCB受力弯曲时减少因应力导致的裂纹风险。其表面端电极为镍/锡双层结构，确保了优异的可焊性和长期连接可靠性。
作为一款环保型元器件，CL21B104KBCNFNC 符合RoHS指令和无卤素标准，不含铅、镉、六价铬、多溴联苯（PBB）和多溴二苯醚（PBDE）等有害物质，满足现代绿色电子产品设计要求。该产品常用于自动化贴片生产线，卷带包装便于SMT设备供料，提高生产效率。整体而言，这款MLCC在性能、尺寸、成本和可靠性之间实现了良好平衡，是现代电子设计中常用的被动元件之一。
该电容器广泛应用于各类电子系统的电源管理模块中，主要用于去耦和旁路功能。在数字集成电路（如MCU、FPGA、DSP）的电源引脚附近，CL21B104KBCNFNC 可以吸收高频噪声，稳定供电电压，防止因电流突变引起的电压波动影响芯片正常运行。它也常见于DC-DC转换器输出端的滤波网络中，配合其他容值电容构成多级滤波结构，提升输出电压的平滑度。此外，在模拟信号链路中，该电容可用于交流耦合、级间滤波和参考电压旁路，确保信号传输的稳定性。
在通信设备中，如路由器、交换机和基站模块，该电容被用于高速信号通道的电源净化，降低串扰和电磁干扰。在工业控制领域，PLC、传感器接口板和电机驱动器中也能见到其身影，承担电源稳压和抗干扰任务。消费类电子产品如智能手机、平板电脑、电视和音频设备同样大量使用此类电容，特别是在主板电源域分布中起到关键作用。此外，汽车电子中的非动力系统（如信息娱乐系统、车身控制模块）也可能采用该型号，前提是满足AEC-Q200可靠性测试要求（需查证具体批次是否通过认证）。总之，CL21B104KBCNFNC 凭借其标准化参数和高可靠性，已成为现代电子产品中不可或缺的基础元件之一。
GRM21BR71H104KA01L
CC0805KRX7R9BB104
RC0805FR-07100NL
C2012X7R1H104K
