时间：2025/11/13 19:09:35
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CL21A475MPFNNNE是三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的一款多层陶瓷贴片电容（MLCC），广泛应用于各类电子设备中。该器件属于X7R温度特性系列，具备较高的稳定性和可靠性，适用于去耦、滤波、旁路和信号耦合等电路功能。其封装尺寸为0805（公制2012），额定电容值为4.7μF，额定电压为25V DC。由于采用了高介电常数的陶瓷材料，该电容在小型化的同时实现了较大的电容量，在空间受限的应用中具有显著优势。CL21A475MPFNNNE符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，适合无铅回流焊工艺。该型号采用卷带包装，便于自动化贴片生产，广泛用于消费类电子产品、通信设备、工业控制模块以及汽车电子等领域。作为一款高性能MLCC，它在温度稳定性、寿命可靠性和电气性能方面均表现出色，是现代高密度PCB设计中的常用元件之一。
型号：CL21A475MPFNNNE
制造商：Samsung Electro-Mechanics
封装/尺寸：0805 (2.0mm x 1.25mm)
电容值：4.7μF
额定电压：25V DC
温度特性：X7R (±15%)
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
电容容差：±20%
介质材料：陶瓷（Class II, X7R）
安装类型：表面贴装（SMD）
工作温度系数：ΔC/C ≤ ±15% over -55°C to +125°C
最小包装数量：4000只/卷
产品等级：工业级
符合标准：RoHS compliant, AEC-Q200（部分批次适用）
CL21A475MPFNNNE是一款基于X7R陶瓷介质的多层陶瓷电容器（MLCC），具备良好的温度稳定性和电容量保持能力。X7R材料意味着其电容值在-55°C至+125°C的工作温度范围内变化不超过±15%，这一特性使其优于Z5U或Y5V等低稳定性介质，适用于对电容稳定性有一定要求但又需要较高容值的应用场景。该器件的标称电容为4.7μF，在0805这一紧凑封装内实现如此高的容量，得益于三星先进的叠层制造工艺和高介电常数配方技术。尽管Class II介质存在一定的直流偏压效应（即施加直流电压时有效电容会下降），但CL21A475MPFNNNE通过优化内部电极结构和介质分布，在25V额定电压下仍能保持相对较高的可用容量。例如，在16V偏压条件下，其实测电容通常可维持在标称值的70%以上，这对于电源去耦和中频滤波应用来说是可接受的。
该电容采用镍阻挡层电极（Ni-barrier termination）结构，外层镀锡处理，确保优异的可焊性和抗硫化性能，特别适合在潮湿、高温或含硫环境中长期运行。其机械强度良好，能够承受标准回流焊接热应力，支持无铅焊接工艺（峰值温度可达260°C）。此外，CL21A475MPFNNNE具有低等效串联电阻（ESR）和较低的等效串联电感（ESL），在高频下仍能提供有效的去耦能力，适用于开关电源输出端的纹波抑制。由于其非极性特性，无需考虑极性安装错误问题，提升了使用的灵活性和安全性。整体而言，这款MLCC在性能、尺寸与可靠性之间取得了良好平衡，是替代传统钽电容或铝电解电容的理想选择之一，尤其在关注体积和寿命的便携式设备中表现突出。
CL21A475MPFNNNE因其高容量密度和稳定的电气特性，被广泛应用于多种电子系统中。在电源管理电路中，常用于DC-DC转换器的输入和输出滤波，有效降低电压纹波并提高系统稳定性；也可作为微处理器、FPGA或ASIC的电源引脚去耦电容，快速响应瞬态电流需求，防止电压跌落导致的误操作。在消费类电子产品如智能手机、平板电脑和智能家居设备中，该电容用于音频信号耦合、传感器接口滤波以及射频模块的偏置网络，提升信号完整性和抗干扰能力。工业控制领域中，它被集成于PLC模块、人机界面和数据采集系统中，保障复杂电磁环境下的可靠运行。此外，由于其工作温度范围宽且符合AEC-Q200标准的部分认证批次可用于汽车电子，因此也常见于车载信息娱乐系统、车身控制模块和辅助驾驶系统的电源滤波电路中。在网络通信设备如路由器、交换机和基站模块中，该电容用于高速信号通道的噪声抑制和电源完整性设计。总之，任何需要小型化、高可靠性陶瓷电容的场合，CL21A475MPFNNNE都是一个极具竞争力的选择。
GRM21BR71E475KA01L
CC0805KRX7R9BB475
C2012X7R1E475K125AE
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