型号：CL21A335KPFNNNG
　　制造商：Samsung Electro-Mechanics
　　封装/尺寸：0805 (2.0mm x 1.25mm)
　　电容值：3.3μF (335 = 3.3×10^5 pF)
　　额定电压：6.3V DC
　　容差：±10%
　　电介质类型：X7R
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度特性：ΔC/C ≤ ±15% (-55°C ~ +125°C)
　　端接：镍阻挡层 / 锡覆盖（Ni-Sn）
　　产品等级：工业级
　　符合标准：RoHS、无卤素（Halogen-Free）

CL21A335KPFNNNG采用X7R型陶瓷介质材料，具备优良的电容稳定性，在宽温度范围内（-55°C至+125°C）电容变化率控制在±15%以内，适合对温度漂移有一定要求但不需要超高精度的应用场景。其3.3μF的电容值在6.3V耐压等级下实现了较高的容积比，得益于三星先进的叠层工艺和薄层介质技术，能够在0805小型封装内集成多层陶瓷结构，从而提升总电容量。该器件具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），有助于提高电源去耦和噪声滤波效果，特别适用于高频开关电路中的旁路应用。
　　该电容器采用镍阻挡层与锡覆盖的端接结构，增强了焊接可靠性和抗热冲击能力，同时具备良好的可焊性，兼容回流焊和波峰焊工艺。其无铅、无卤素的设计满足现代绿色电子产品的环保要求，适用于出口型电子产品。机械强度方面，该器件经过严格测试，具备较强的抗弯曲和抗振动性能，降低因PCB弯折导致的裂纹风险。此外，三星对该系列MLCC实施严格的来料控制和可靠性验证流程，确保批次一致性与长期使用稳定性，适合用于工业控制、通信模块及消费类电子产品中。
　　值得注意的是，虽然X7R介质不具备C0G/NP0级别的温度稳定性，但在成本与性能之间提供了良好平衡。该器件不建议用于谐振电路或定时电路等对电容精度要求极高的场合，但非常适合用作电源输入滤波、IC供电引脚去耦、DC-DC转换器输出平滑等用途。其低老化率和良好的直流偏压特性也使其在持续运行环境中保持较稳定的电气参数。

CL21A335KPFNNNG广泛应用于各类需要中等电容值且空间受限的电子系统中。常见用途包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备等消费类电子产品中的电源管理单元（PMU）去耦电容，用于稳定处理器、传感器或无线通信芯片的供电电压。在便携式设备中，该电容器常被布置在DC-DC降压或升压转换器的输入输出端，起到抑制电压波动和减少电磁干扰的作用。
　　此外，该器件也适用于网络通信设备，如路由器、交换机和光模块中的信号调理电路和电源滤波部分。在工业控制系统中，可用于PLC模块、传感器接口电路和嵌入式控制器的去耦设计。由于其工作温度范围宽，也可用于汽车电子中的非动力系统，例如车载信息娱乐系统（IVI）、仪表盘显示模块和车内照明控制电路。在医疗电子设备中，该电容器可用于低功耗监测仪器的电源路径中，提供稳定的局部储能功能。
　　由于其小型化和高可靠性特点，CL21A335KPFNNNG特别适合高密度PCB布局设计，尤其是在采用细间距元件和多层板结构的产品中发挥重要作用。随着电子产品向轻薄化发展，此类高性能MLCC的需求持续增长，成为现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。

GRM21BR71E335KA93L
　　C0805X335K5RACTU
　　CL21A335KPFRNE