型号：CL21A226MQQNNXE
　　制造商：Samsung Electro-Mechanics
　　封装尺寸：0805 (2.0mm x 1.25mm)
　　电容值：22μF
　　容差：±20%
　　额定电压：200V DC
　　介电材料：X7R
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度特性：ΔC/C ≤ ±15% (-55°C 至 +125°C)
　　绝缘电阻：≥1000MΩ 或 R × C ≥ 500Ω·F（取较大值）
　　使用寿命：在额定电压和最高工作温度下至少1000小时
　　耐湿性：符合IEC 60068-2-30标准
　　端子电极：镍阻挡层 + 锡镀层（Ni-Sn），无铅可焊
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　失效率：低，符合工业级可靠性标准

CL21A226MQQNNXE所采用的X7R介电材料是一种稳定的铁电陶瓷配方，能够在宽温度范围内提供相对恒定的电容性能。在-55°C到+125°C的工作区间内，其电容变化率控制在±15%以内，这使其优于Z5U或Y5V等普通介电类型，在环境温度波动较大的应用中表现出更强的稳定性。这种稳定性对于电源滤波、参考电压旁路以及精密模拟前端电路至关重要。此外，X7R材料还具备较低的电介质吸收和适中的老化率（通常每年约2.5%），确保长期运行中的性能一致性。
　　该电容器采用先进的叠层结构制造工艺，内部由数十至上百层交替排列的陶瓷介质与内电极构成，从而在小尺寸下实现高达22μF的大容量。尽管MLCC存在直流偏压效应——即施加电压后有效电容会下降——但CL21A226MQQNNXE通过优化介质厚度与配方设计，在200V工作电压下的电容保持率仍处于同类产品中的领先水平。例如，在额定电压的80%下工作时，其实际电容值仍可维持在标称值的70%以上，这对于高压去耦应用尤为重要。
　　机械方面，CL21A226MQQNNXE具备良好的抗弯曲和抗热冲击能力，适用于自动化贴片生产线。其端电极为镍锡双层结构，兼容无铅回流焊工艺，满足现代绿色电子制造的需求。同时，该器件通过严格的湿度敏感等级（MSL）测试，通常为MSL 1（无限车间寿命），减少了存储和使用过程中的受潮风险。此外，产品经过老化筛选和高压测试，确保出厂批次的一致性和长期可靠性，特别适合车载电子、医疗设备和工业控制系统等对安全性要求高的领域。

CL21A226MQQNNXE因其高电压耐受能力和较大的电容值，广泛应用于多种电子系统的电源管理模块中。在DC-DC转换器电路中，它常被用作输入和输出端的滤波电容，有效抑制开关噪声并平滑电压波动，提升电源效率和稳定性。特别是在升压、降压或反激式拓扑结构中，该电容能够承受瞬态高压冲击，防止因电压尖峰导致系统异常。
　　在电源适配器、充电器和AC-DC电源模块中，CL21A226MQQNNXE可用于次级侧滤波电路，配合电解电容或钽电容使用，以弥补传统极性电容在高频响应上的不足，同时提高整体寿命和可靠性。由于其无极性特性，避免了极性接反导致的短路风险，提升了系统安全性。
　　在模拟信号链路中，该电容适用于运算放大器的电源旁路、ADC/DAC参考电压去耦以及传感器信号调理电路中的耦合与滤波。其低等效串联电阻（ESR）和较宽频率响应特性有助于减少高频干扰，保障信号完整性。
　　此外，该器件也常见于工业控制设备、网络通信模块、LED驱动电源以及汽车电子系统（如信息娱乐系统、车身控制模块）中。随着电子产品向小型化和高集成度发展，CL21A226MQQNNXE凭借其0805紧凑封装与高性能平衡，成为替代传统电解电容的理想选择之一。

GRM21BR71H226KA01L
　　TCJ21AF-226KMT
　　C2012X7R1H226K125AE