GA1812Y563KXCAR31G是一款表面贴装技术(SMT)陶瓷电容器,具有低ESR(等效串联电阻)和高自谐振频率的特点。该电容器采用多层陶瓷工艺制造,适用于高频电路、滤波器设计以及电源去耦应用。
其封装尺寸为1812英寸(约4.57x3.05mm),能够提供稳定的电气性能和优异的温度特性。
电容值:56pF
额定电压:3kV
封装形式:1812英寸
耐压等级:3000V
介质材料:C0G/NP0
温度系数:±30ppm/°C
工作温度范围:-55°C to +125°C
绝缘电阻:大于500MΩ
损耗角正切值:小于0.001
GA1812Y563KXCAR31G采用了C0G(NP0)类介质材料,确保了其在宽温度范围内具有极高的稳定性和低的温度漂移。此外,该型号还具备以下特点:
1. 高耐压能力:高达3kV的额定电压使其非常适合高压应用场景。
2. 低损耗特性:超低的损耗角正切值有助于减少能量损失,提升系统效率。
3. 超小型化设计:尽管体积小巧,但仍然保持了卓越的电气性能。
4. 宽工作温度范围:能够在极端温度条件下正常工作,适用于工业及汽车领域。
5. 稳定性好:即使在长时间使用后,也能保持较高的精度和可靠性。
该电容器广泛应用于各种电子设备中,包括但不限于以下领域:
1. RF射频电路中的匹配与滤波。
2. 高频信号传输线路中的噪声抑制。
3. 开关电源中的输入输出滤波。
4. 汽车电子系统中的电源去耦。
5. 工业控制设备中的信号调理电路。
由于其高耐压和小尺寸特性,特别适合用于需要紧凑型设计且对电压要求较高的场合。
GA1812Y563KXCGR31G
GA1812Y563KXCAR21G
Kemet C1812C560J5GACTU
Taiyo Yuden PMF1812C560J0500