电容：22μF
　　额定电压：10V DC
　　温度特性：X7R (±15%)
　　封装尺寸：0805 (2.0mm x 1.25mm)
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　电容公差：±20%
　　介质材料：陶瓷 (X7R)
　　安装类型：表面贴装 (SMD)
　　端接类型：镍阻挡层 (Ni-barrier)
　　厚度：约1.25mm
　　长度：2.0mm
　　宽度：1.25mm
　　最小包装数量：4000片/卷

CL21A226MPCLR5C 采用先进的叠层结构和高纯度陶瓷介质材料，确保在高温、高湿及机械应力环境下仍能维持优异的可靠性与稳定性。其X7R介质材料保证了在整个工作温度范围内（-55°C至+125°C）电容值的变化不超过±15%，远优于Y5V等低稳定性介质材料，使其特别适用于需要稳定频率响应和精确滤波特性的电路中。
　　该电容器具有极低的等效串联电阻（ESR）和适中的等效串联电感（ESL），可在高频条件下提供高效的去耦能力，有效抑制电源噪声并提升系统稳定性。尤其在数字IC的电源引脚附近使用时，能快速响应瞬态电流需求，减少电压波动，从而保障处理器和逻辑电路的正常运行。
　　得益于三星电机独有的薄层成型技术和精密印刷工艺，CL21A226MPCLR5C 实现了在0805小型封装内集成高达22μF的电容值，显著提升了单位体积内的储能密度。这种高容量小型化设计对于空间受限的便携式电子设备至关重要，有助于缩小PCB面积，提高整机集成度。
　　器件的镍阻挡层端子结构提供了出色的抗迁移性能，防止银离子在潮湿环境中发生电化学迁移，进而避免短路失效。同时，该端子系统增强了焊接可靠性，支持多次回流焊过程，适用于复杂的多层板组装流程。产品通过AEC-Q200等可靠性认证的可能性较高，适用于对长期稳定性有严格要求的应用领域。
　　此外，CL21A226MPCLR5C 具备良好的直流偏压特性，在施加接近额定电压的直流偏置时，仍能保留较高比例的标称电容值。这一特性使其在低压大电流电源轨的滤波应用中表现优于普通陶瓷电容，尤其是在DC-DC转换器输出端作为平滑电容时，能够维持较好的纹波抑制效果。

CL21A226MPCLR5C 主要应用于各类需要高电容密度与良好温度稳定性的电子电路中。典型用途包括智能手机、平板电脑和其他便携式消费类电子产品的电源管理单元（PMU）、CPU/GPU核心供电去耦、内存模块旁路以及接口信号滤波。
　　在通信设备中，该电容器常用于射频前端模块的偏置电路滤波、基带处理器的电源稳定以及Wi-Fi/蓝牙芯片组的本地去耦，以降低电磁干扰（EMI）并提升信号完整性。
　　在工业控制与汽车电子领域，CL21A226MPCLR5C 可用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块和车身控制模块中的稳压电路，适应较宽的工作温度范围和振动环境。
　　此外，它也广泛用于计算机主板、显卡、固态硬盘（SSD）以及物联网（IoT）终端设备中，作为DC-DC降压变换器的输入/输出滤波电容，有效抑制电源纹波和瞬态噪声。
　　由于其环保合规性和高可靠性，该器件同样适用于医疗电子、测试测量仪器和自动化设备等对安全性和寿命要求较高的专业设备中。

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