时间：2025/5/30 12:57:47
阅读：8
BSS138N是一种N沟道增强型小信号MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于各种低功率开关和负载驱动电路。该器件具有较低的导通电阻和较快的开关速度，非常适合于便携式设备、消费类电子产品和其他需要高效能开关性能的应用场景。
BSS138N在设计上采用了先进的制造工艺，确保了其具备高可靠性和稳定性。此外，它还能够承受一定的ESD（静电放电）电压，从而提高了在实际应用中的抗干扰能力。
最大漏源电压：50V
最大栅源电压：±20V
最大漏极电流：0.17A
导通电阻（典型值）：4.5Ω
功耗（最大值）：290mW
结温范围：-55℃至150℃
封装形式：SOT-23
BSS138N具有以下显著特性：
1. 低导通电阻，能够有效降低功率损耗，提高系统效率。
2. 快速开关速度，适用于高频开关应用。
3. 小型化封装（SOT-23），节省PCB空间，适合紧凑型设计。
4. 较宽的工作温度范围，适应多种环境条件下的使用需求。
5. 高可靠性设计，确保长期稳定运行。
BSS138N因其优异的性能和小型化的封装特点，被广泛应用于以下领域：
1. 消费类电子产品的电源管理模块。
2. 电池供电设备中的负载开关控制。
3. 数据通信接口保护电路。
4. 各种便携式设备中的低功耗开关应用。
5. LED驱动和信号切换电路。
6. 过流保护和短路保护电路。
7. 其他需要小型化、低功耗开关元件的场合。
BSS138
2N7000
BS170
