时间：2025/11/12 22:00:48
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CL21A106MPCLQNC是三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的一款多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于高介电常数的X7R（-55°C至+125°C，电容变化±15%）材料体系，具有较高的体积效率和稳定的电气性能。该型号采用标准的0805封装尺寸（公制2012），额定电容为10μF（106表示10×10? pF），额定电压为6.3V DC。CL21A系列专为需要小尺寸、大容量的去耦、旁路和滤波应用设计，广泛应用于消费电子、移动通信设备、便携式电子产品以及电源管理电路中。
该产品采用镍阻挡层端子电极结构（Ni-barrier termination），具备良好的可焊性和抗机械应力能力，同时满足无铅回流焊工艺要求。其紧凑的设计有助于在有限的PCB空间内实现更高的集成度。CL21A106MPCLQNC符合RoHS指令，不含铅、镉等有害物质，适用于环保型电子产品制造。此外，该电容器对温度、频率和时间的老化表现出较好的稳定性，在实际应用中能维持较长时间的可靠工作。
电容值：10μF
额定电压：6.3V DC
电介质材料：X7R
温度特性：±15%（-55°C 至 +125°C）
封装尺寸：0805（2.0mm × 1.25mm）
厚度：约1.25mm
电容容差：±20%
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
绝缘电阻：≥500MΩ 或 τ ≥ 2500S（取较大者）
耐电压：1.5倍额定电压，5秒无击穿
端电极结构：Ni-barrier（镍阻挡层）
磁性：非磁性
包装形式：卷带包装（Tape and Reel）
CL21A106MPCLQNC采用先进的叠层陶瓷工艺制造，内部由数十甚至上百层陶瓷介质与内电极交替堆叠而成，实现了在小型封装下获得相对较大的电容值。X7R电介质材料确保了其在宽温度范围内（-55°C至+125°C）电容变化不超过±15%，适合用于对稳定性有一定要求但不需要精密补偿的应用场景。由于陶瓷材料本身不具极性，该电容器为无极性元件，安装时无需区分方向，提升了使用的灵活性。
其Ni-barrier端子结构通过在铜或银基底上镀镍再镀锡，有效防止了外部环境中的铜离子迁移问题，提高了长期可靠性，特别是在高温高湿条件下仍能保持良好的电气性能。这种结构也增强了焊接过程中的润湿性和抗热冲击能力，适用于自动化贴片生产线。此外，该器件具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），使其在高频去耦应用中表现良好，能够快速响应瞬态电流变化，稳定电源电压。
尽管10μF容量在6.3V电压等级下已接近0805封装的技术极限，三星通过优化介电层厚度和提高层数来实现这一指标，但也导致其直流偏置特性较为明显——即随着施加电压增加，实际可用电容会显著下降。因此在设计时需参考具体DC bias曲线进行降额使用。另外，陶瓷电容对机械应力敏感，PCB弯曲或热胀冷缩可能导致裂纹，建议采用柔性焊盘布局或避免在应力集中区域布放。整体而言，该型号在尺寸、容量与成本之间取得了良好平衡，适用于大批量消费类电子产品。
CL21A106MPCLQNC主要用于各类电子设备中的电源去耦、噪声滤波和信号旁路电路。常见应用场景包括智能手机、平板电脑、无线模块、蓝牙耳机等便携式设备中的IC供电引脚旁路，用于抑制高频噪声并提供瞬态电流支持。在数字电路中，如微处理器、FPGA、ASIC等高速逻辑芯片的VDD/VSS引脚附近，该电容可有效降低电源阻抗，减少电压波动，提升系统稳定性。
此外，它也被广泛用于DC-DC转换器的输入输出滤波环节，配合其他容值电容构成多级滤波网络，以平滑开关电源产生的纹波电压。在音频放大器、传感器接口、显示驱动等模拟电路中，可用于电源轨的低频去耦，改善信噪比和动态响应。由于其无磁性特性，也可用于对磁场敏感的医疗设备或测量仪器中。
在工业控制和汽车电子（非关键部位）中，若工作温度和电压条件符合要求，也可作为辅助滤波元件使用。但由于其容量受电压偏置影响较大，不适合用于定时、振荡或精密耦合等对电容值精度要求高的场合。总体来看，该器件适用于空间受限且需要中等容量滤波功能的通用电子系统。
GRM21BR60J106ME39L
TCJ21BC70J106KMT
C2012X7R6X106K075AC
EMK212BBJ106KD-T
