型号：2SJ268
　　极性：P沟道
　　最大漏源电压（Vds）：-100 V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20 V
　　连续漏极电流（Id）：-2.0 A（@Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：-8.0 A
　　最大功耗（Pd）：20 W
　　导通电阻（Rds(on)）：≤ 3.0 Ω（@Vgs = -10 V）
　　导通电阻（Rds(on)）：≤ 4.0 Ω（@Vgs = -5 V）
　　阈值电压（Vgs(th)）：-1.0 V 至 -2.5 V
　　输入电容（Ciss）：~ 180 pF（@Vds = 25 V）
　　输出电容（Coss）：~ 50 pF（@Vds = 25 V）
　　反向传输电容（Crss）：~ 10 pF（@Vds = 25 V）
　　栅极电荷（Qg）：~ 7.0 nC（@Vgs = -10 V）
　　工作结温范围（Tj）：-55 ℃ 至 +150 ℃
　　存储温度范围（Tstg）：-55 ℃ 至 +150 ℃
　　封装形式：SOT-23

2SJ268的P沟道结构使其在高边开关应用中无需额外的电荷泵电路即可实现有效控制，显著简化了电源设计。其最大漏源电压为-100V，能够承受较高的反向电压，适用于多种中压直流电源系统。该器件在室温下的连续漏极电流可达-2.0A，脉冲电流能力达到-8.0A，表明其具备较强的瞬时负载驱动能力，适合应对启动冲击或短时过载工况。
　　导通电阻方面，2SJ268在Vgs = -10V时的典型Rds(on)不超过3.0Ω，在Vgs = -5V时也不超过4.0Ω，这一低阻特性有助于减少导通损耗，提高整体系统效率，特别适用于电池供电设备等对能效敏感的应用场景。其阈值电压范围为-1.0V至-2.5V，确保在较低的栅极驱动电压下仍能可靠开启，增强了与逻辑电平信号的兼容性。
　　该MOSFET具有较小的输入电容和栅极电荷，意味着其开关速度较快，开关损耗较低，有利于提升高频开关电路的性能。同时，较低的电容值也减少了驱动电路的负载，降低了驱动功耗。器件采用SOT-23小型封装，体积紧凑，便于在高密度PCB布局中使用，并具备良好的散热性能，通过合理布局可实现有效的热管理。
　　2SJ268的工作结温范围宽达-55℃至+150℃，表明其可在极端环境条件下稳定运行，适用于工业控制、汽车电子和户外设备等严苛应用场景。此外，该器件具备良好的抗静电能力和可靠性，经过严格的生产测试，确保长期使用的稳定性。其符合RoHS指令，支持环保生产工艺，适用于出口型电子产品和绿色认证项目。

2SJ268广泛应用于各类中低压功率开关电路中。常见用途包括DC-DC转换器中的同步整流或开关元件，特别是在降压（Buck）或升压（Boost）拓扑中作为P沟道高端开关使用，因其无需复杂驱动电路而受到青睐。在便携式电子设备如智能手机、平板电脑、移动电源中，该器件可用于电池充放电管理、电源路径切换和负载开关控制，实现高效的能量分配和系统节能。
　　在电机控制领域，2SJ268可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，作为上桥臂开关元件，配合N沟道MOSFET实现双向转动控制。其快速响应特性和低导通电阻有助于提升电机控制精度和能效表现。此外，在LED驱动电路中，该器件可用于恒流源的开关调节，实现亮度调光功能，适用于背光控制和照明系统。
　　工业自动化设备中，2SJ268常被用于继电器驱动、电磁阀控制和传感器电源开关等场合，利用其可靠的开关性能和耐压能力保障系统稳定运行。在逆变器和UPS（不间断电源）系统中，该器件可用于辅助电源或控制回路中的开关模块，提供稳定的电压转换支持。此外，由于其小型封装和高集成度，2SJ268也适用于通信设备、消费类家电和智能仪表中的电源管理单元。

2SJ355, 2SJ157, DMG2305UX, FDN360P, SI2301DS