电容值：10μF
　　容差：±10%
　　额定电压：16V DC
　　温度特性：X7R（-55°C 至 +125°C）
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　尺寸（英寸）：0805
　　尺寸（毫米）：2.0 × 1.25 × 1.25 mm
　　介质材料：X7R陶瓷
　　端电极：镍阻挡层+锡电镀
　　老化率：约±2.5% / decade hour
　　直流偏压特性：随电压增加电容下降（典型行为）
　　ESR（等效串联电阻）：低，具体值依频率而定
　　ESL（等效串联电感）：极低，适合高频应用
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　包装形式：卷带编带，标准工业包装

CL21A106KQQN3NE采用X7R型高介电常数陶瓷材料作为介质，具备在宽温度范围内保持相对稳定电容的能力，其电容变化率在-55°C到+125°C之间不超过±15%，这使得它非常适合用于对温度敏感的应用场景。尽管X7R材料的介电常数低于Y5V等类型，但其温度稳定性远优于后者，因此在需要兼顾电容密度与热稳定性的场合更具优势。此外，该电容器在直流偏压下的电容衰减表现属于行业中等水平——随着施加电压接近额定值，实际可用电容会显著降低，例如在16V满压下，实测电容可能仅为标称值的60%-70%左右，因此在设计时需参考厂商提供的DC偏压曲线进行降额使用。
　　该器件采用先进的薄层共烧技术制造，内部包含数十甚至上百层交替排列的金属内电极与陶瓷介质层，从而实现小体积下的大电容量。每一层厚度可控制在微米级别，极大提升了单位体积的能量存储能力。同时，这种结构也赋予了MLCC极低的等效串联电感（ESL）和较低的等效串联电阻（ESR），使其在高频去耦应用中优于传统铝电解或钽电容。尤其在数字IC的电源去耦网络中，能够有效滤除开关噪声并维持供电平稳。
　　机械方面，CL21A106KQQN3NE具备良好的抗弯曲性能和热冲击耐受性，可在回流焊过程中承受多次加热循环而不损坏。其外电极为Ni/Sn结构，兼容无铅焊接工艺，符合现代绿色电子产品制造标准。此外，该器件还具有低漏电流、高绝缘电阻（通常大于400MΩ或时间常数RC > 1000Ω·F）等特点，确保长期运行的稳定性与安全性。需要注意的是，由于陶瓷电容的压电效应，某些情况下可能会因机械振动产生微小噪声电压（称为“啸叫”现象），在音频或高精度模拟电路中应予以注意。

CL21A106KQQN3NE广泛应用于各类需要中等电容值且要求良好温度稳定性的电子系统中。最常见的用途是在电源管理电路中作为输入或输出滤波电容，特别是在DC-DC转换器、LDO稳压器以及开关电源模块中，用于平滑电压波动、抑制纹波和提高瞬态响应能力。由于其SMD封装和小尺寸特点，非常适合高密度PCB布局，广泛用于智能手机、平板电脑、路由器、机顶盒等消费类电子产品。
　　在数字集成电路的供电设计中，该电容常被用作芯片电源引脚的局部去耦元件，以吸收高速逻辑切换引起的瞬态电流需求，防止电源电压塌陷和信号干扰。尤其是在微处理器、FPGA、ASIC和内存芯片的周围，多个此类电容并联使用可构建高效的去耦网络，提升系统电磁兼容性（EMC）表现。
　　此外，该器件也可用于模拟信号路径中的耦合与旁路电路，如运算放大器的偏置节点旁路、ADC/DAC参考电压滤波等场景。虽然X7R材料不具备C0G/NP0级别的精度和线性度，但在非关键性模拟应用中仍可接受。工业控制设备、汽车电子（非引擎舱）模块、传感器接口电路以及LED驱动电源中也能见到该型号的身影。
　　由于其可靠的电气性能和成熟的供应链支持，CL21A106KQQN3NE成为许多工程师在通用大容量陶瓷电容选型中的首选之一。然而，在高温、高压或高可靠性要求的应用中，应结合实际工况评估是否需要更高额定电压或更优材料类型的替代方案。

GRM21BR71C106KA01L
　　X7R1C106KAT1U
　　MCZ21BB106K16VX
　　EMK212BJ106KG-T